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光刻工藝設(shè)備返回列表頁

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產(chǎn)品型號CG-920

品牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地合肥市

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更新時間：2025-05-22 10:41:41瀏覽次數(shù)：135次

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產(chǎn)品分類品牌分類

光刻機

全部產(chǎn)品列表

產(chǎn)品簡介

光刻工藝設(shè)備產(chǎn)品概述：
應(yīng)用于3D封裝、LED、微機電系統(tǒng)、化合物半導(dǎo)體、功率器件等領(lǐng)域
主要配置：自動對準、自動曝光、LED光源、機器視覺對準系統(tǒng)、高精度硅片承載臺、自動楔形誤差補償系統(tǒng)
LED 光源：3波長任意配置，支持更多應(yīng)用場景
高分辨率、高均勻性；使用壽命長，維護簡便：
機器視覺對準系統(tǒng)：頂部和底部雙模式對準，大視野、高精度；4種照明光可選，工藝適應(yīng)性強；手動、自動模式自由切換

詳情介紹

光刻工藝設(shè)備產(chǎn)品概述：

應(yīng)用于3D封裝、LED、微機電系統(tǒng)、化合物半導(dǎo)體、功率器件等領(lǐng)域。

主要配置：自動對準、自動曝光、LED光源、機器視覺對準系統(tǒng)、高精度硅片承載臺、自動楔形誤差補償系統(tǒng)。

LED 光源：3波長任意配置，支持更多應(yīng)用場景。

高分辨率、高均勻性；使用壽命長，維護簡便：

機器視覺對準系統(tǒng)：頂部和底部雙模式對準，大視野、高精度；4種照明光可選，工藝適應(yīng)性強；手動、自動模式自由切換。

光刻工藝設(shè)備技術(shù)參數(shù)：

掩模版、硅片
硅片尺寸	8"/ 6"
硅片厚度	max.10 mm
掩模版尺寸	9" ×9"/ 7" ×7" (SEMI)
掩模版厚度	max.6.35 mm
曝光模式
接觸方式	軟接觸、硬接觸、真空接觸
曝光間隙	0~1000 μm
間隙精度	1 μm
曝光強度	0 ~ ≥40mw/cm 2
曝光鏡頭
光源類型	LED
曝光波長	365nm，405nm，
光強均勻性	≤4% 8" / ≤3% 6"
分辨率	真空接觸≤1um
	硬接觸 ≤1.5μm
	軟接觸≤2.2μm
	間隙 ≤3.6μm
對準模式
頂部對準	< ±1 μm
可選配底部對準	< ±2 μm
頂部對準調(diào)焦范圍	5 mm
底部對準調(diào)焦范圍	5 mm
硅片承載臺
運動范圍	X：±5mmY：±5mmθ : ±5°
分辨率	0.04 μm
頂部對準鏡頭
移動范圍	6" 40~150mm
	8" 40~200 mm
底部對準鏡頭
移動范圍	6" 40~150mm
	8" 40~200 mm
用戶界面
Windows 10	可存儲工藝菜單
場務(wù)需求
真空< -0.8 kPa ; 氮氣> 0.5 Mpa ; 壓縮空氣: 0.6~0.8 Mpa
供電需求
電壓: 230 V ± 10%	頻率: 50~60 Hz
尺寸重量
長 ×寬 ×: 1200 × 1000 mm	高: 1973 mm重量 : ~ 400 kg