聯(lián)系電話
高斯摩(成都)國際貿(mào)易有限公司
中級會員·1年
F-REX200M2EBARA荏原 CMP設(shè)備 化學機械拋光
| 參考價: | ￥ 15000 |
| 訂貨量: | 1件 |
具體成交價以合同協(xié)議為準- F-REX200M2 產(chǎn)品型號
- EBARA/荏原 品牌
- 經(jīng)銷商 廠商性質(zhì)
- 成都市 所在地
訪問次數(shù)：17更新時間：2025-05-12 14:11:56
聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息，謝謝!
- 聯(lián)系人：
- 李科霖
- 電話：
- 86-028-87319898
- 手機：
- 19382020649
- 傳真：
- 86-028-85068959
- 地址：
- 四川省成都市高新區(qū)天府大道中段500-1號天祥廣場C座4527室
- 個性化：
- www.cosimoinc.com.cn
掃一掃訪問手機商鋪
產(chǎn)品簡介
CMP設(shè)備，即化學機械拋光（Chemical Mechanical Planarization）設(shè)備，是一種用于半導體制造、光學元件加工和材料科學領(lǐng)域的高精度表面處理設(shè)備。
產(chǎn)品介紹
EBARA荏原 CMP設(shè)備 化學機械拋光 F-REX200M2
EBARA荏原 CMP設(shè)備 化學機械拋光 F-REX200M2
CMP設(shè)備，即化學機械拋光（Chemical Mechanical Planarization）設(shè)備，是一種用于半導體制造、光學元件加工和材料科學領(lǐng)域的高精度表面處理設(shè)備。CMP技術(shù)通過化學腐蝕和機械研磨的結(jié)合，實現(xiàn)對材料表面的全局平坦化處理，是半導體晶圓制造中的關(guān)鍵工藝之一。
工作原理
CMP設(shè)備的核心工作原理是利用化學腐蝕和機械研磨的協(xié)同作用，去除材料表面的不平整部分。具體過程如下：
化學作用：拋光液中的化學試劑與材料表面發(fā)生反應，生成一層易于去除的軟化層。
機械作用：拋光墊在壓力下旋轉(zhuǎn)，通過磨料顆粒的摩擦作用去除軟化層，實現(xiàn)表面平坦化。
清洗與干燥：拋光完成后，通過清洗和干燥步驟去除殘留的拋光液和顆粒，確保表面潔凈。
主要組成部分
拋光頭：用于固定晶圓并施加壓力，確保均勻拋光。
拋光墊：安裝在旋轉(zhuǎn)平臺上，與晶圓表面接觸并實現(xiàn)研磨。
拋光液輸送系統(tǒng)：用于輸送含有化學試劑和磨料的拋光液。
清洗模塊：用于拋光后晶圓的清洗和干燥。
控制系統(tǒng)：實現(xiàn)設(shè)備運行的自動化控制和工藝參數(shù)調(diào)節(jié).
特點
高精度：CMP設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)納米級表面平坦化，滿足半導體制造的高精度要求。
全局平坦化：與傳統(tǒng)的機械拋光相比，CMP能夠同時實現(xiàn)局部和全局平坦化。
多功能性：適用于多種材料，如硅、銅、二氧化硅和金屬合金。
高效性：通過自動化控制，實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的批量生產(chǎn)。
應用領(lǐng)域
半導體制造：用于晶圓制造中的多層布線、淺溝槽隔離（STI）和銅互連工藝。
光學元件加工：用于透鏡、棱鏡等光學元件的表面拋光。
材料科學：用于新材料研發(fā)中的表面處理和分析。
相關(guān)產(chǎn)品
