低真空化學氣相沉積設備是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應，還可以提高整個基板的均勻性。除此之外，該過程取決於溫度控制，過程溫度越高，維持性越好。與大氣壓下的傳統(tǒng)CVD製程相比，低真空化學氣相沉積設備：每批製程可裝載更多的晶圓（每批100-200個晶圓）、晶圓內(nèi)的厚度均勻性得到了改善（<±3％），並且降低生產(chǎn)成本。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準的控制製程氣體與監(jiān)控其數(shù)據(jù)(壓力、載臺溫度)，並提供高品質(zhì)的薄膜。

參數(shù)