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技術(shù)文章
方塊電阻測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo)
閱讀：1564 發(fā)布時(shí)間：2021-7-20本設(shè)備采用四探針?lè)▽?zhuān)用于金屬薄膜方塊電阻，HD-KDB-2B 測(cè)試儀嚴(yán)格參照國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)
SEMI MF 374-0307 對(duì)設(shè)備的要求研制，運(yùn)用了*半導(dǎo)體薄層測(cè)量技術(shù)，無(wú)需特別制
樣，可測(cè)不規(guī)則的金屬薄膜。
技術(shù)指標(biāo)：方塊電阻測(cè)量范圍（3 位有效數(shù)字）：0.00001-0.3Ω/□。
測(cè)量電流分兩檔：100mA 和 1000mA。
最小分辨率：0.00001Ω/□。
試樣尺寸：直徑大于 32mm。
試樣厚度：t≤5μm（約）。
探針間距：1.59mm。
成套設(shè)備包含：
HD-KDB-2B 主機(jī) 一臺(tái)
HD-KDJ-1A 手動(dòng)測(cè)試架 一臺(tái)
HD-KDT-5 紅寶石四探針頭 一個(gè)
電源線(xiàn) 一根
四探針頭連接線(xiàn) 一根
選購(gòu)件：
微控制器及配套測(cè)試系統(tǒng) 一套
本設(shè)備采用四探針?lè)▽?zhuān)用于金屬薄膜方塊電阻，HD-KDB-2B 測(cè)試儀嚴(yán)格參照國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)
SEMI MF 374-0307 對(duì)設(shè)備的要求研制，運(yùn)用了*半導(dǎo)體薄層測(cè)量技術(shù)，無(wú)需特別制
樣，可測(cè)不規(guī)則的金屬薄膜。
技術(shù)指標(biāo)：方塊電阻測(cè)量范圍（3 位有效數(shù)字）：0.00001-0.3Ω/□。
測(cè)量電流分兩檔：100mA 和 1000mA。
最小分辨率：0.00001Ω/□。
試樣尺寸：直徑大于 32mm。
試樣厚度：t≤5μm（約）。
探針間距：1.59mm。
成套設(shè)備包含：
HD-KDB-2B 主機(jī) 一臺(tái)
HD-KDJ-1A 手動(dòng)測(cè)試架 一臺(tái)
HD-KDT-5 紅寶石四探針頭 一個(gè)
電源線(xiàn) 一根
四探針頭連接線(xiàn) 一根
選購(gòu)件：
微控制器及配套測(cè)試系統(tǒng) 一套