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TH511半導(dǎo)體C-V特性分析儀

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參考價(jià)72000
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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  • 同惠電子

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  • 東莞市

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TH51172000元8 臺(tái) 可售
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更新時(shí)間:2023-10-19 16:27:19瀏覽次數(shù):879

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應(yīng)用領(lǐng)域 電子/電池,綜合
TH511半導(dǎo)體C-V特性分析儀
TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀是同惠電子針對(duì)半導(dǎo)體材料及器件生產(chǎn)與研發(fā)的分析儀器。
半導(dǎo)體C-V特性分析儀創(chuàng)新性地采用了雙CPU架構(gòu)、Linux底層系統(tǒng)、10.1英寸電容式觸摸屏、中英文操作界面、內(nèi)置使用說明及幫助等新一代技術(shù),適用于生產(chǎn)線快速分選、自動(dòng)化集
成測(cè)試及滿足實(shí)驗(yàn)室研發(fā)及分析。

詳細(xì)介紹

TH511半導(dǎo)體C-V特性分析儀

TH511半導(dǎo)體C-V特性分析儀

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀是同惠電子針對(duì)半導(dǎo)體材料及器件生產(chǎn)與研發(fā)的分析儀器。  

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀創(chuàng)新性地采用了雙CPU架構(gòu)、Linux底層系統(tǒng)、10.1英寸電容式觸摸屏、中英文操作界面、內(nèi)置使用說明及幫助等新一代技術(shù),適用于生產(chǎn)線快速分選、自動(dòng)化集

成測(cè)試及滿足實(shí)驗(yàn)室研發(fā)及分析。

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀測(cè)試頻率為10kHz-2MHz, VGS電壓可達(dá)±40V,足以滿足二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導(dǎo)體件CV特性測(cè)試分析。  

得益于10.1英寸、分辨率達(dá)1280*800的電容式觸摸屏,TH510系列半導(dǎo)體器件C-V特性分析儀可將四個(gè)參數(shù)同屏顯示、所有設(shè)置、監(jiān)視、分選參數(shù)、狀態(tài)等可以在同一屏顯示,避免了頻繁的切換的

操作。

功能特點(diǎn)

A.單點(diǎn)測(cè)試,10.1英寸大屏,四種寄生參數(shù)同屏顯示,讓細(xì)節(jié)一覽無遺

10.1英寸觸摸屏、1280*800分辨率,Linux系統(tǒng)、中英文操作界面,支持鍵盤、鼠標(biāo)、LAN接口,帶來了無以倫比的操作便捷性。

MOSFET最重要的四個(gè)寄生參數(shù):Ciss、Coss、Crss、Rg在同一個(gè)界面直接顯示測(cè)量結(jié)果,并將四個(gè)參數(shù)測(cè)試等效電路圖同時(shí)顯示,一目了然。

多至6個(gè)通道測(cè)量參數(shù)可快速調(diào)用,分選結(jié)果在同一界面直接顯示。

B.列表測(cè)試,靈活組合

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持最多6個(gè)通道、4個(gè)測(cè)量參數(shù)的測(cè)試及分析,列表掃描模式支持不同通道、不同參數(shù)、不同測(cè)量條件任意組合,并可設(shè)置極限范圍,并顯示測(cè)量結(jié)果 。

C.曲線掃描功能(選件)

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線分析,可以對(duì)數(shù)、線性兩種方式實(shí)現(xiàn)曲線掃描,可同時(shí)顯示多條曲線:同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線;同一Vg、不同參數(shù)多條曲線 。

D.簡(jiǎn)單快捷設(shè)置

參數(shù)可任意選擇,可打開及關(guān)閉,關(guān)閉參數(shù)可有效節(jié)約時(shí)間和數(shù)據(jù)傳輸;延時(shí)時(shí)間可自動(dòng)設(shè)置或自行設(shè)置;柵極電阻可選漏源短路或漏源開路。

E.10檔分選及可編程HANDLER接口

儀器提供了10檔分選,為客戶產(chǎn)品質(zhì)量分級(jí)提供了可能,分選結(jié)果直接輸出至HANDLER接口。

在與自動(dòng)化設(shè)備連接時(shí),怎么配置HANDLER接口輸出,一直是自動(dòng)化客戶的難題,TH510系列將HANDLER接口腳位、輸入輸出方式、對(duì)應(yīng)信號(hào)、應(yīng)答方式等可視化,讓自動(dòng)化連接更簡(jiǎn)單。

F.支持定制化,智能固件升級(jí)方式

G.半導(dǎo)體元件寄生電容知識(shí)

在高頻電路中,半導(dǎo)體器件的寄生電容往往會(huì)影響半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)特性,所以在設(shè)計(jì)半導(dǎo)體元件時(shí)需要考慮下列因數(shù)

在高頻電路設(shè)計(jì)中往往需要考慮二極管結(jié)電容帶來的影響;MOS管的寄生電容會(huì)影響管子的動(dòng)作時(shí)間、驅(qū)動(dòng)能力和開關(guān)損耗等多方面特性;寄生電容的電壓依賴性在電路設(shè)計(jì)中也是至關(guān)重要,

以MOSFET為例。

H.標(biāo)配附件

TH26063B六端測(cè)試夾具

應(yīng)用

■ 半導(dǎo)體元件/功率元件

二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光

電子芯片等寄生電容測(cè)試、C-V特性分析

■ 半導(dǎo)體材料

晶圓、C-V特性分析

■ 液晶材料

彈性常數(shù)分析

出售半導(dǎo)體C-V特性分析儀








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