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一、高靈敏度相機產(chǎn)品介紹

　　Dhyana400BSI從面世以來一直得到極大關注，產(chǎn)品品質(zhì)得到全面認可。但我們從未停止過腳步，在研發(fā)人員的集體努力下，現(xiàn)已完成400BSI從V1.0到V2.0的全面升級。

　　400BSI(V2.0)在V1.0的傳輸速度上實現(xiàn)了核心突破，全分辨率下可實現(xiàn)74fps@Cameralink與40fps@USB3.0的高速數(shù)據(jù)傳輸。在信號處理上，為滿足諸如單分子、超分辨率等科研成像對精準定量的需求，400BSI(V2.0)對DSNU與PRNU進行了校正，使得每個像素之間的差異以及固定圖形噪聲降到很低，從而實現(xiàn)更高精度的定量成像，為獲取更精準的應用數(shù)據(jù)提供保障。

　　此外400BSI(V2.0)還保留了V1.0的所有精髓，包括搭載最新的背照式sCMOS芯片，擁有95%QE的超高量子效率，6.5μmx6.5μm的像素尺寸，1.1e-@CMS的超低讀出噪聲等優(yōu)秀品質(zhì)。

　　不論是采集絢麗的科學圖像，還是獲取精準的定量數(shù)據(jù)，Dhyana400BSI(V2.0)均能游刃有余！

二、高靈敏度相機產(chǎn)品優(yōu)勢

1、像素校正,DSNU/PRNU優(yōu)化,定量分析更精準

　　為提高相機的綜合性能，Dhyana400BSIV2.0對DSNU(暗信號不均一性)和PRNU(光響應不均一性)進行了校正優(yōu)化，優(yōu)化后的DSNU值由0.3e-降到了0.2e-，PRNU值由1.6%降到了0.3%，相機因此具備了更加精細的定量能力，更加適合定量分析應用領域。

2、-15℃低溫暗電流控制, 進一步降低噪聲對成像的影響

Dhyana 400BSI V2.0在20 室溫下制冷溫度已經(jīng)可以達到-15℃ ，相比1.2e-的讀出噪聲和0.2e-的DSNU，100毫秒對應 的暗電流噪聲要小于0.02e-，達到了sCMOS成像應用幾 乎可以忽略不計的水平。

3、寬光譜響應范圍，靈敏度高不可攀

當各項噪聲指標和好的水平都相當時，Dhyana 400BSIV2.0的量子效率優(yōu)勢就*凸顯，這對科學級應用來說都是 相當巨大的突破，不僅在可見光區(qū)域靈敏度得到了大幅提 升，在紫外短波和近紅外長波上的提升也非常值得關注。

4、74fps@CameraLink, 40fps@USB3.0, 數(shù)據(jù)捕捉更快速

除了信噪比優(yōu)勢，Dhyana 400BSI V2.0在傳輸速度上 也實現(xiàn)了核心突破，一方面新增CameraLink接口，滿足科研成像對更高幀率的需求，另一方面對內(nèi)部 硬件電路進行了全新升級改進，最終實現(xiàn)了420萬全 分辨率下74fps@CameraLink的芯片極限傳輸速率，以 及40fps@USB3.0的接口最高數(shù)據(jù)傳輸速率。

三、第三方應用

除了自有的SDK和Demo，Dhyana 400BSI V2.0支持的第三方應用也已經(jīng)大大擴展，包括Micromanager, 

Labview, Matlab等，可以為您提供更多應用支持和幫助。

四、應用案例參考

單分子定位

相機的高信噪比可有效提高單分子熒光發(fā)光的亮度，右圖統(tǒng)計結(jié)果顯示，400BSI的定位精度是對比相機的2倍。數(shù)據(jù)來源:華中科技大學武漢光電國家實驗室。

超分辨成像

半高全寬(FWHM])越小，表示分辨率越高。在STORM細胞超分辨成像中，400BSI分辨率達到了40納米，而第三代82%QE的sCMOS只能達到47納米分辨率，400BSI將STORM超高分辨率顯微鏡的分辨能力推進了7納米!

神經(jīng)元熒光成像

隨著曝光時間的增加,發(fā)光的熒光物質(zhì)會對細胞產(chǎn)生光毒性，相比其他相機，400BSI的成像曝光時間更短, 可以更好

的保護細胞樣品，避免光損傷。

TIRF寬場成像

在全內(nèi)反射熒光( TIRF )應用中，光強非常弱，但400BSI的超高信噪比可有效減少曝光時間，得到更快的寬場成像速度。

SIM細胞骨架成像

SIM成像要求相機在低曝光時間下能夠獲取盡可能清晰的圖像，而在同等拍攝條件下，400BSI 擁有顯著的信噪比優(yōu)勢,因而能夠獲得較其他相機更好的成像質(zhì)量。