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在硅太陽能電池板的生產(chǎn)過程中，硅晶體中的應(yīng)力在制作過程中往往沒有被檢測到，我們描述了一種測量硅錠的應(yīng)力雙折射儀，它可以是方形的，也可以是生長的，然后被鋸成硅片，當這臺儀器被用作質(zhì)量控制工具時，在后續(xù)加工成本發(fā)生之前，可以識別出低質(zhì)量的硅錠或鋼錠。此外，該儀器還為硅晶體的生長提供了一種提高硅錠質(zhì)量的工具，使其能夠生產(chǎn)出較薄的硅片，降低了機械產(chǎn)量損失。

Hinds儀器的’Exicor® 雙折射測量系統(tǒng)PV-Si是Exicor雙折射測量系統(tǒng)系列產(chǎn)品的工作平臺的擴展。本系統(tǒng)采用高質(zhì)量的對稱光彈性調(diào)制器、1550 nm激光器和Ge雪崩光電二極管探測器，實現(xiàn)了光伏和半導體工業(yè)中硅材料的高精度雙折射測量，除硅外，還可測量藍寶石、碳化硅、硒鋅、鎘等材料。PV-Si鑄錠模型堅固、通用，可容納和測量直徑達8英寸的500毫米粗錠。臺面設(shè)計和直觀的自動掃描軟件使該產(chǎn)品成為原材料改進、研發(fā)和日常評估的選擇，也是對原始硅錠和其他高技術(shù)材料進行評估的選擇。

雙折射（應(yīng)力）測量系統(tǒng) EXICOR-PV-Si：前沿靈敏度和重復性

使用HiNDS儀器的光彈性調(diào)制器（PEM）技術(shù)，該系統(tǒng)可提供高水平的雙折射靈敏度。 此外，PEM提供高速操作，調(diào)制頻率為50 kHz。前沿靈敏度和可重復性易于提供亞納米水平的雙折射測量，這對于許多應(yīng)用至關(guān)重要。

雙折射（應(yīng)力）測量系統(tǒng) EXICOR-PV-Si：專為簡單、直接的操作而設(shè)計

直徑200毫米，長500毫米的鑄錠可以手動或自動繪制并以圖形方式顯示。 一旦樣品被放置在翻譯階段，直觀的軟件指導操作員完成步驟測量過程。 用戶界面軟件計算延遲值和快軸角度，并以各種格式顯示它們。 該軟件還提供文件管理和校準功能。

應(yīng)用

質(zhì)量控制計量

由硅和砷化鎵等半導體材料生長的錠料的雙折射測量

主要特點

在低水平雙折射測量中具有高靈敏度
同時測量雙折射幅度和角度
精度重復性
高速測量
光學系統(tǒng)中無移動部件
可變尺寸光學元件的自動映射
光彈調(diào)制器技術(shù)
簡單、便于用戶使用的操作

Exicor PV-Si通過所研究的光學樣品沿光路徑測量延遲。它旨在測量和顯示樣品光學延遲的幅度和快軸取向。在這個設(shè)計中，鑄錠保持固定，并且Exicor源和探測器模塊由電腦控制臺移動。 1550nm激光光束被偏振，然后由源模塊中的PEM調(diào)制。調(diào)制光束通過樣品傳輸，然后通過檢測器模塊，第二個PEM、分析儀和Ge-APD光電探測器的組合。電子信號通過三個并聯(lián)的鎖相放大器進行處理，提供非常低的信號檢測。由Hinds 儀器公司的軟件算法將來自電子模塊的信號電平轉(zhuǎn)換為可以確定線性雙折射的參數(shù)。計算機對數(shù)據(jù)進行分析，然后顯示遲滯幅度和軸角度并存儲在文件中。當在自動繪圖模式下操作時，源和檢測器模塊將被移動到下一個預(yù)定的測量位置。結(jié)果以用戶指定的格式即時顯示。