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BGO晶體是進(jìn)口高純度鍺酸鉍閃爍單晶,具有高吸收能力,可制作成快速閃爍晶體，具有*異的機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性,可用于BGO晶體閃爍探測器是電子顯微鏡、β和X射線計(jì)數(shù)以及電子和X射線成像屏等。

PWO晶體是進(jìn)口高純度鎢酸鉛閃爍單晶特別適合制作高能物理探測器,具有高輻射硬度和良*的閃爍性能,*異的機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性,可用于PWO晶體閃爍探測器是電子顯微鏡、β和X射線計(jì)數(shù)以及電子和X射線成像屏等。
進(jìn)口PWO晶體,鎢酸鉛閃爍單晶可制作成高分辨率X射線成像熒光屏,采用PWO晶體,鎢酸鉛閃爍單晶直接切割而成，從而保證具有超薄和超高分辨率的*點(diǎn)（***薄可達(dá)5微米以下）。
PWO晶體,鎢酸鉛閃爍單晶具有良*的化學(xué)、力學(xué)和溫度性能,轉(zhuǎn)換的光非常適合光電二極管和雪崩二極管讀取,是理想的電子成像熒光屏,X射線成像熒光屏,紫外成像熒光屏。進(jìn)口BGO晶體,鍺酸鉍閃爍單晶可制作成高分辨率X射線成像熒光屏,采用閃爍單晶BGO晶體,鍺酸鉍閃爍單晶直接切割而成，從而保證具有超薄和超高分辨率的*點(diǎn)（***薄可達(dá)5微米以下）。
BGO晶體,鍺酸鉍閃爍單晶具有良*的化學(xué)、力學(xué)和溫度性能,轉(zhuǎn)換的光非常適合光電二極管和雪崩二極管讀取,是理想的電子成像熒光屏,X射線成像熒光屏,紫外成像熒光屏。
確定成像顯示屏的厚度需要考慮到合適的探測效率和高分辨率兩種因素。根據(jù)多年的經(jīng)驗(yàn)可以確定的是對于耦合在精密光學(xué)襯底上的超薄成像熒光屏而言，如果使用高靈敏度的CCD探測器照相，就X射線應(yīng)用而言可以給出大約1微米的分辨率。

高分辨率的BGO晶體,鍺酸鉍閃爍單晶熒光轉(zhuǎn)換屏,X射線轉(zhuǎn)換屏,X射線熒光屏,閃爍體轉(zhuǎn)換屏實(shí)際上是高效率成像系統(tǒng)的主要元件.我們提供基于YAG：Ce或LuAG:Ce 單晶閃爍探測器的超薄顯示屏.使用這種鍍在光學(xué)襯底上的熒光轉(zhuǎn)換屏,X射線轉(zhuǎn)換屏,X射線熒光屏,閃爍體轉(zhuǎn)換屏,結(jié)合光學(xué)系統(tǒng)和CCD相機(jī),可以獲得*于1微米(X射線應(yīng)用)和2納米(電鏡)的分辨率.
我們可以提供耦合到FOP上的YAG:Ce和LuAG:Ce成像屏，也可與CCD耦合一起。

FOP上的薄YAG:Ce閃爍屏(左圖）和錐形FO上的YAG:Ce閃爍屏(右圖）
我們也可以根據(jù)用戶需求把成像屏耦合到光纖元件和CCD上。
這種BGO晶體,鍺酸鉍閃爍單晶超薄熒光轉(zhuǎn)換屏,X射線轉(zhuǎn)換屏,X射線熒光屏,閃爍體轉(zhuǎn)換屏不需要與襯底耦合或其他支持物，不需要膠合在玻璃或FOP上。直徑為10mm厚度為0.030mm。也可以提供*大直徑的熒光轉(zhuǎn)換屏,X射線轉(zhuǎn)換屏,X射線熒光屏,閃爍體轉(zhuǎn)換屏，但是厚度需要增加到0.050mm左右。