Graphenea石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片S20
參考價(jià) | ¥ 6000 |
訂貨量 | ≥1件 |
- 公司名稱(chēng) 上?;偕锟萍加邢薰?/a>
- 品牌 先豐納米
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/5/27 11:09:47
- 訪問(wèn)次數(shù) 23
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供貨周期 | 一個(gè)月 | 規(guī)格 | 一片 |
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貨號(hào) | 102850 |
產(chǎn)品名稱(chēng)
中文名稱(chēng): Graphenea石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片S20
英文名稱(chēng):Graphenea Graphene Field-Effect Transistor chipS20
產(chǎn)品概述
石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種基于石墨烯電學(xué)特性構(gòu)建的半導(dǎo)體器件。 通常由石墨烯溝道、源極、漏極和柵極組成。石墨烯溝道是電流傳輸?shù)闹饕窂?,源極和漏極用于注入和收集載流子,柵極則通過(guò)施加電壓來(lái)調(diào)控溝道中的載流子濃度。 當(dāng)在柵極上施加電壓時(shí),會(huì)在石墨烯溝道中誘導(dǎo)出電荷,從而改變溝道的電導(dǎo)。通過(guò)控制柵極電壓,可以有效地調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流,實(shí)現(xiàn)晶體管的開(kāi)關(guān)功能。
技術(shù)參數(shù)
芯片尺寸:10mm x10mm
芯片厚度 :675μm
每個(gè)芯片的GFET數(shù)量:12
柵氧化層厚度:90nm
柵極氧化物材料:SiO2
基體電阻率 :1-10 Ω.cm
封裝形式:50 nm Al2O3 + 100 nm Si3N4
Dirac點(diǎn)(背柵):<50 V
良率 :>75%
石墨烯場(chǎng)效應(yīng)遷移率:>1000cm2/V.s
產(chǎn)品特點(diǎn)
1、高靈敏度:由于石墨烯溝道的厚度很薄,所有電流都在其表面流動(dòng),因此GFET具有非常高的靈敏度。
2、雙極性特征:GFET可以使用電子和空穴兩者形成電流,具有雙極性特征。
3、高頻性能:GFET的開(kāi)關(guān)頻率可以接近太赫茲范圍,比硅基FET快幾倍。
4、低功耗:石墨烯優(yōu)異的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性使其工作時(shí)的電能損耗更低、散熱性能更好。
應(yīng)用
電子器件:用于制造高頻、高速、低功耗的電子器件,如放大器、開(kāi)關(guān)和數(shù)字電路等。
傳感器:基于石墨烯的FET傳感器適用于各種傳感應(yīng)用,包括氣體傳感、生物傳感和環(huán)境傳感等。
能源領(lǐng)域:在能源存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)換方面也有潛在的應(yīng)用,如鋰離子電池和超級(jí)電容器的電極材料等。