品牌：Nanyte

產(chǎn)地：新加坡

NANYTE BEAM 臺式無掩模光刻系統(tǒng)Maskless lithography System/桌面型激光直寫系統(tǒng)Direct Laser Writing System加工處理微納米級的結(jié)構(gòu)圖案，無需昂貴的掩膜，通過聚焦激光束掃描對基片表面的光刻膠直接進(jìn)行變劑量曝光，實現(xiàn)微米至納米尺度的圖案加工。在確保其優(yōu)異性能的同時，小型化設(shè)計使得操作更為便捷，且實現(xiàn)快速加工處理，不但提高了微納米器件科研和生產(chǎn)的效率，還有效的節(jié)省了成本。

光束引擎將紫外激光束聚焦到衍射極限點，通過該聚焦點依照設(shè)計好的圖案掃描對光刻膠進(jìn)行曝光；同時，針對大尺寸晶圓/基片，通過精密步進(jìn)器移動晶圓/基片進(jìn)行多次曝光，接著縫合多次曝光圖案，完成對整個晶圓/基片的微納米圖案加工。該光束引擎能夠在6英寸晶圓上加工小于500nm的特征線寬。

lCompact.

-緊湊式全功能無掩膜光刻機(jī)

lPowerful.

-小于500nm特征線寬處理

-實現(xiàn)2秒內(nèi)完成單個區(qū)域圖案曝光

-加工尺寸150mmX150mm

lUltrafast autofocus.

-實現(xiàn)1秒內(nèi)完成聚焦

-壓電驅(qū)動器配合閉環(huán)聚焦光學(xué)控制

lNo-fuss multilayer.

-幾分鐘內(nèi)實現(xiàn)半自動多層對準(zhǔn)

軟件控制界面：

-軟件界面人性化設(shè)計，WASD導(dǎo)航，右鍵點擊任何地方即可到達(dá)

-自動圖像識別

-幾分鐘內(nèi)實現(xiàn)多層對準(zhǔn)

-幾秒鐘內(nèi)在光刻膠上曝光任何圖案或書寫任何文字

-只需加載、對準(zhǔn)和曝光

-類似CNC導(dǎo)航操作

-多層曝光時，GDS圖案可視化；軟件會加載GDS小地圖，一鍵導(dǎo)航到晶圓上任何區(qū)域

應(yīng)用實例：

硅襯底上圖案陣列，每個單元為50×63μm，

相鄰圖案之間的間距為3μm

光刻膠：AZ5214E

開環(huán)諧振器陣列, 右側(cè)離距離1.5μm

左側(cè)的分離距離為2μm，外圈直徑為80μm

交叉電容器 (IDCs) ，2 μm柵線寬度

光刻膠: AZ5214E

金屬化開環(huán)非對稱諧振器

0.8μm錐形部分，側(cè)面20?90μm接觸電極

光刻膠：AZ5214E

應(yīng)用領(lǐng)域：

• 光子學(xué)領(lǐng)域：用于制造光子晶體、波導(dǎo)、微透鏡、衍射光學(xué)元件等，這些元件在光通信、光計算、光學(xué)成像等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。例如，制造具有特定光學(xué)性能的微透鏡陣列，可用于成像系統(tǒng)、光傳感器等設(shè)備中，提高其性能和集成度。

• 生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域：可用于制備組織工程支架、微流控芯片、生物傳感器等。

• 微電子學(xué)領(lǐng)域：在集成電路制造中，用于制作掩模、光刻膠圖案等，特別是對于小批量、高精度的集成電路芯片制造，激光直寫技術(shù)具有成本低、靈活性高的優(yōu)勢。此外，還可用于制造微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件，如微機(jī)械結(jié)構(gòu)、微傳感器、微執(zhí)行器等。