塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀

HC-RD-1100塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀產(chǎn)品介紹

熱電效應(yīng)描述了材料中溫度和電的相互影響，它基于三個(gè)基本效應(yīng)：塞貝克效應(yīng)、珀?duì)柼?yīng)和湯姆森效應(yīng)。塞貝克效應(yīng)是1821年由德國(guó)物理學(xué)家J. T. Seebeck發(fā)現(xiàn)的，描述了在電絕緣導(dǎo)體中施加溫度梯度時(shí)電場(chǎng)的形成。與之相反，熱電冷卻效應(yīng)描述通過(guò)施加電流獲得溫度差的現(xiàn)象。電能和熱能的轉(zhuǎn)換效率是材料物理特性，用塞貝克系數(shù)S表征，其與溫度相關(guān)。

目前，使用化石燃料生成的二氧化碳導(dǎo)致全球變暖加劇，而人們也面臨能源枯竭的問(wèn)題，利用熱電轉(zhuǎn)換元件收集余熱并有效利用引起人們的廣泛注意。另外，利用熱電冷卻效應(yīng)進(jìn)行制冷是熱電特性的重要應(yīng)用。

隨著化石燃料越來(lái)越少，二氧化碳排放量不斷增加，全球變暖也在加劇，因此有效的熱電轉(zhuǎn)換越來(lái)越受關(guān)注。利用熱電發(fā)電機(jī)（TEG）收集熱機(jī)余熱（如汽車(chē)或傳統(tǒng)發(fā)電廠(chǎng)），并將其轉(zhuǎn)換成電能，以提高其轉(zhuǎn)換效率。同時(shí)，通過(guò)帕爾貼進(jìn)行冷卻的應(yīng)用也越來(lái)越受關(guān)注，例如激光器中的恒溫溫度臨界元件、優(yōu)異熱電材料。通常根據(jù)無(wú)量綱優(yōu)值ZT來(lái)衡量材料的熱電轉(zhuǎn)換效率，由熱導(dǎo)率、塞貝克系數(shù)和導(dǎo)電率計(jì)算得出。

由此，華測(cè)儀器研發(fā)了一系列簡(jiǎn)單易用和優(yōu)異的材料表征儀器。華測(cè)儀器的HC-RD-1100可以同時(shí)測(cè)定樣品在RT至1500℃溫度范圍內(nèi)的塞貝克系數(shù)和電阻率。

熱功率、熱電勢(shì)、或塞貝克系數(shù)描述的都是材料在一定溫差條件下產(chǎn)生感應(yīng)熱電電壓的大小，單位是V/K。

近年來(lái)直接將熱能轉(zhuǎn)化成電能的方法引起人們的廣泛興趣。通過(guò)熱電裝置收集熱發(fā)動(dòng)機(jī)和燃燒系統(tǒng)余熱并轉(zhuǎn)換成電能可以節(jié)省數(shù)十億美元。

為了應(yīng)對(duì)一系列挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，華測(cè)儀器已經(jīng)開(kāi)發(fā)出HC-RD-1100 塞貝克系數(shù)/電阻率測(cè)試系統(tǒng)用于分析材料和器件的特性。

HC-RD-1100塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀應(yīng)用領(lǐng)域

熱電材料開(kāi)發(fā)與性能優(yōu)化

• 測(cè)量半導(dǎo)體、方鈷礦、Skutterudite等熱電材料的塞貝克系數(shù)與電導(dǎo)率，計(jì)算ZT值（熱電優(yōu)值）；

• 評(píng)估材料在高溫（如1500℃）或惡劣環(huán)境（真空/還原氣氛）下的熱電轉(zhuǎn)換效率。

能源材料與器件研究

• 鋰離子電池電極材料、固態(tài)電解質(zhì)的電阻率與界面接觸特性分析；

• 燃料電池催化劑在氧化/還原氣氛中的導(dǎo)電性能測(cè)試。

電子與功能材料表征

• 半導(dǎo)體薄膜、導(dǎo)電高分子、金屬氧化物的電輸運(yùn)特性研究；

• 高溫超導(dǎo)材料、陶瓷基復(fù)合材料的電阻-溫度關(guān)系曲線(xiàn)測(cè)定。

工業(yè)材料質(zhì)量控制與工藝優(yōu)化

• 合金、陶瓷、碳材料的熱-電協(xié)同性能檢測(cè)，指導(dǎo)燒結(jié)工藝參數(shù)調(diào)整；

• 高溫涂層、耐腐蝕材料在模擬工況（如真空、惰性氣氛）下的電學(xué)行為評(píng)估。

科研與標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試

• 高校及科研院所用于熱電效應(yīng)、導(dǎo)電機(jī)制等基礎(chǔ)理論研究；

• 依據(jù)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)（如ASTM E1225）開(kāi)展材料熱電性能認(rèn)證測(cè)試。

產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)：HC-RD-1100

溫度范圍：RT ～ 800/1100/1500℃

測(cè)量原理；塞貝克系數(shù)：靜態(tài)直流法 ； 電阻率：四端法

氣氛：惰性、氧化、還原、真空

樣品支架：三明治結(jié)構(gòu)夾與兩電極之間

樣品尺寸（圓柱形或棱柱形）：2 至 5 mm（面寬），23mmφ6mm，23mm

樣品尺寸（圓盤(pán)狀）：10、 12.7、 25.4 mm

可調(diào)探頭距離：4、 6、 8 mm

塞貝克系數(shù)測(cè)量范圍：1 ～ 2500μV/K  準(zhǔn)確度±7%；重復(fù)性±3%

電導(dǎo)率測(cè)量范圍：0.01 ～ 2*10 5 s/cm  準(zhǔn)確度±5-8%；再現(xiàn)性±3%

電源：0 ～ 1A，具長(zhǎng)期穩(wěn)定性

電極材料：鎳（-100至500°C）/鉑（-100至+1500°C）

熱電偶：K/S/C型