一、超高亮度與精密缺陷檢測能力

1. 突破性照度水平
   YP-250I提供超過400,000 Lux的亮度，顯著提升晶片表面微小缺陷（如劃痕、顆粒、裂紋、拋光不均等）的對比度，即使是0.2 μm級別的微觀缺陷也能清晰顯現(xiàn)。這種高亮度支持光學顯微鏡和自動光學檢測（AOI）系統(tǒng)快速捕捉細節(jié)，減少漏檢風險。

2. 冷光源與熱管理技術

• 冷鏡技術：通過濾除90%以上的紅外輻射，將熱效應對晶片的影響降至傳統(tǒng)鋁鏡的1/3，避免因熱變形導致檢測誤差。

• 強制排氣冷卻系統(tǒng)：采用螺旋式風扇或管道通風設計，確保長時間運行時照度波動低于2%，保障檢測穩(wěn)定性。

二、靈活適配復雜檢測需求

1. 多模式切換與光束調節(jié)

• 兩級照度模式：通過按鈕快速切換高/低亮度觀察模式，適應宏觀整體掃描（如晶片表面均勻性評估）和微觀結構分析（如光刻膠涂布細節(jié)）。

• 光束直徑可調：30-50 mm范圍內靈活調整光束直徑，適配不同尺寸晶片或局部重點檢測需求。

2. 兼容性與光源多樣性

• 支持黃光和白光兩種光源，優(yōu)化對不同材料（如硅片、砷化鎵、碳化硅）的反光特性適應能力。

• 可搭配顯微鏡、AOI設備、工業(yè)相機等多種檢測工具，覆蓋晶圓制造全流程（從CMP工藝到封裝前終檢）。

三、標準化與高效生產支持

1. 檢測環(huán)境一致性
   光源色溫穩(wěn)定在3400K，照度均勻性通過ISO認證，確保批次間檢測結果的可比性，減少因光照波動引發(fā)的誤判。

2. 自動化產線適配性

• 專為8英寸晶片設計（YP-150I適配6英寸），覆蓋主流半導體制造規(guī)格，φ60 mm的照度范圍滿足大尺寸晶片高速掃描需求。

• 支持高速AOI系統(tǒng)，縮短單次檢測停留時間，提升產線效率30%-50%。

四、行業(yè)價值與風險控制

• 缺陷攔截前移：在晶圓制造早期階段（如光刻、拋光）精準識別缺陷，降低后期封裝環(huán)節(jié)的廢品率，半導體行業(yè)應用可減少30%以上返工成本。

• 數字化升級支持：為AI視覺檢測算法提供高信噪比圖像，提升算法訓練效率和識別準確率。

總結：YP-250I通過“極限亮度+精準熱控制+多場景適配”的技術組合，成為半導體晶片檢測的核心工具，尤其在高精度、高風險的先進制程中具備不可替代性。其設計兼顧效率與穩(wěn)定性，為半導體制造良率提升和成本控制提供了可靠保障。