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光子橋接優(yōu)勢：
1、實(shí)現(xiàn)硅基光電芯片網(wǎng)絡(luò)之間低損耗連接；
2、實(shí)現(xiàn)硅基光子芯片網(wǎng)絡(luò)連接自動(dòng)化，提升連接效率；
3、提升每毫米芯片尺度連接密度，提升硅基光子芯片集成度；
4、實(shí)現(xiàn)三維空間硅基光子芯片間自由連接。
光子橋接激光鍵合方式具有無需壓力、無高溫殘余應(yīng)力、無需強(qiáng)電場干擾等諸多優(yōu)勢。
激光退火：
激光退火技術(shù)主要用于修復(fù)半導(dǎo)體材料，尤其是硅。傳統(tǒng)的加熱退火技術(shù)是把整個(gè)晶圓放在真空爐中，在一定的溫度（一般是300-1200℃）下退火10-60min。這種退火方式并不能完全消除缺陷，高溫卻導(dǎo)致材料性能下降，摻雜物質(zhì)析出等問題。因此從上世紀(jì)末開始，激光退火的研究就變得十分活躍，發(fā)展出毫秒級(jí)脈沖激光退火、納秒級(jí)脈沖激光退火和高頻Q開關(guān)脈沖激光退火等多種激光退火方法。近些年來，激光退火已在國內(nèi)外取得了一些成熟的應(yīng)用。激光退火主要優(yōu)勢體現(xiàn)在：
（1）加熱時(shí)間短，能夠獲得高濃度的摻雜層；
（2）加熱局限于局部表層，不會(huì)影響周圍元件的物理性能；
（3）能夠能到半球形的很深的接觸區(qū)；
（4）由于激光束可以整形到非常細(xì)，為微區(qū)薄層退火提供了可能。
激光鉆孔：
激光鉆孔廣泛用于金屬、PCB、玻璃面板等領(lǐng)域的鉆孔。
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