目錄:北京北埃特光電子技術(shù)有限責(zé)任公司>>紅外探測(cè)器>>紅外氣體探測(cè)器>> PVIA-10.6III-V族長波紅外探測(cè)器
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更新時(shí)間：2024-12-24 14:00:17瀏覽次數(shù)：2446評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,電子/電池,航空航天 | 波長響應(yīng)范圍： | 1.8-12微米 |
| 信號(hào)探測(cè)頻率： | DC到高頻 | 峰值響應(yīng)率： | Ri>0.14A/W（典型） |
| 峰值探測(cè)率： | D*>7.7E9（典型） | 制冷方式： | 非制冷，室溫工作 |
| 響應(yīng)時(shí)間： | 1.65納秒（典型） |
III-V族長波紅外探測(cè)器光敏材料為InAsSb，帶有超半球浸沒透鏡；波長響應(yīng)為1.8-12微米、有寬的波長響應(yīng)域，覆蓋從短波到長波紅外；無需制冷工作在室溫環(huán)境；工作方式為光伏探測(cè)，前置放大電路簡單。相對(duì)于碲鎘汞材料的PCI光導(dǎo)長波探測(cè)器，具有很好的低頻噪聲特性，可以用于直流或低頻紅外信號(hào)探測(cè)。
III-V族長波紅外探測(cè)器的主要技術(shù)指標(biāo)：
工作環(huán)境溫度：20 攝氏度（室溫）；
波長響應(yīng)范圍：1.8-12微米
峰值響應(yīng)波長：7.1微米；
峰值電流響應(yīng)率Ri：> 0.14 A/W（典型）;
峰值探測(cè)率D*：>7.7x109（典型）;
1.8微米處響應(yīng)率：>10%峰值響應(yīng)率；
12微米處響應(yīng)率：>10%峰值響應(yīng)率；
響應(yīng)時(shí)間：<1.65 納秒（典型）
封裝：TO-39；
入射角：>36 度
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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