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產(chǎn)品分類 品牌分類

光催化及光敏材料測試設(shè)備

光催化專用太陽光模擬器高準(zhǔn)直紫外光源
鈣鈦礦LED/OLED測試設(shè)備

發(fā)光效率測量系統(tǒng) 光譜分析系統(tǒng) 光電性能測量系統(tǒng)
日本SAN-EI 太陽光模擬器

LED太陽光模擬器 AAA+級雙光太陽光模擬器 AAA太陽光模擬器 150W 太陽光模擬器聚光太陽光模擬器太陽能電池IV性能測試儀太陽能電池組件測試儀太陽能電池測試多通道太陽能電池穩(wěn)定性測試 OLED模擬軟件太陽能電池穩(wěn)定性測試太陽能電池載流子測試光纖太陽光模擬器光譜響應(yīng)/量子效率量測儀全光譜太陽光模擬器太陽能電池量子效率測試系統(tǒng) AAA級太陽光模擬器雙燈太陽光模擬器穩(wěn)態(tài)太陽光模擬器瞬態(tài)光電流/光電壓測試系統(tǒng) 太陽能電池載流子測試設(shè)備載流子擴(kuò)散長度測試系統(tǒng)
薄膜性能測試設(shè)備

薄膜應(yīng)力測試儀薄膜熱應(yīng)力測量系統(tǒng) 薄膜生長速率測試儀薄膜/涂層殘余應(yīng)力儀電池電極應(yīng)力測試系統(tǒng) 薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng) 原位薄膜應(yīng)力測試儀薄膜應(yīng)力測試系統(tǒng) kSA BandiT實(shí)時襯底溫度測試儀 kSA 400 RHEED分析系統(tǒng) 反射高能電子衍射儀 RHEED 應(yīng)力測量系統(tǒng)
共聚焦顯微鏡

電化學(xué)反應(yīng)共聚焦系統(tǒng) 三維光學(xué)共聚焦顯微鏡三維表面輪廓儀
激光光束質(zhì)量分析儀

激光質(zhì)量分析儀 UV光束分析儀 Shack-Hartmann波前傳感器 EUV/XUV波前傳感器波前曲率傳感器光熱弱吸收測量儀高功率激光材料測試儀大光斑激光光束分析儀高功率激光光束分析儀激光光束分析儀
納米材料制備設(shè)備

石墨烯制備系統(tǒng)（CVD）噴霧熱解成膜系統(tǒng) 碳納米管CVD制備系統(tǒng) 原子層沉積系統(tǒng) 卷對卷涂布系統(tǒng) 涂布機(jī)
微納米加工設(shè)備

桌面型激光直寫系統(tǒng) 臺式無掩膜光刻系統(tǒng) 納米壓印系統(tǒng)
介電/壓電材料測試設(shè)備

電卡效應(yīng)測試儀高溫介電測試系統(tǒng) 熱釋電測試儀熱刺激電流測試儀精密壓電系數(shù)測試儀高分子壓電系數(shù)測試儀高場寬頻譜介電測量系統(tǒng) 低溫寬頻介電測量系統(tǒng) 電滯回線及高壓介電擊穿強(qiáng)度測試系統(tǒng) 高壓漏電流及熱釋電測量系統(tǒng) 電容充放電測試儀
太陽能電池測試設(shè)備

瞬態(tài)光電壓測試瞬態(tài)光電流測試太陽能電池老化測試太陽能電池老化壽命測試儀鈣鈦礦太陽能電池測試儀太陽能電池單體測試儀太陽能電池測試夾具太陽能電池IV測試軟件
氙燈電源
高純度鈣鈦礦前驅(qū)體材料
其他相關(guān)設(shè)備

太陽能電池分析技術(shù)(8)：電容-電壓(C-V)

閱讀：5936 發(fā)布時間：2022/5/20

本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽能電池的不同光電表征技術(shù)，同時提取和分析重要的器件參數(shù)，例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、參雜濃度、內(nèi)建電場、陷阱密度、阻抗、理想因子等。

電容電壓（CV）

在電容電壓（CV）測量中，阻抗是在恒定頻率下變化偏置電壓的測量?？筛鶕?jù)圖1公式計(jì)算電容。為了測量CV，通常使用低于50 kHz的頻率。在大多數(shù)類似二極管的器件中，CV在正向電壓處出現(xiàn)峰值，該峰值的位置通常與探測頻率、器件厚度無關(guān)。峰值電壓通常小于內(nèi)建電壓，可以將其視為傳導(dǎo)開始的有效值。電容峰值的高度和電壓與載流子注入（注入勢壘和內(nèi)建電場）有關(guān)。

圖1

電容的增加是由空間電荷效應(yīng)引起的。當(dāng)電壓增加時，電荷被注入并且耗盡層寬度減小 - 導(dǎo)致電容增加。在一定電壓導(dǎo)通開始后，電容再次降低，甚至可能變?yōu)樨?fù)值，負(fù)電容可能是由復(fù)合或自發(fā)熱引起的。

圖2. CV典型曲線

CV可用于監(jiān)測電荷注入勢壘的變化，例如在degradation過程中。在雙層器件中，CV 會趨于平緩穩(wěn)定態(tài)。在一定電壓下，電荷載流子被注入兩層中的一層，當(dāng)一層充滿載流子時，其余層會出現(xiàn)的平板電容效應(yīng)，導(dǎo)致更高的電容穩(wěn)定態(tài)，直到電荷也被注入第二層；只要在不同電壓下注入兩層，這種效應(yīng)就可以被觀察到。具有偶激子的材料，在雙層器件中產(chǎn)生不同的電子和空穴注入電壓。使用CV，可以確定這些材料的宏觀polar sheet charge。

圖3 顯示了所有情況的CV模擬。只有在電荷注入發(fā)生變化的情況下峰值電壓才會發(fā)生顯著變化。"non-aligned contact"（a）具有較低的內(nèi)建電壓，導(dǎo)致峰值電壓降低。"extraction barrier"（a）具有相同的內(nèi)建電壓，但需要克服額外的勢壘，因此CV峰值被轉(zhuǎn)移到更高的電壓。在所有其他情況下，僅觀察到CV峰值電壓的輕微變化。因此，CV似乎適合研究電荷注入和內(nèi)建電壓。