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量子點(diǎn)

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水溶性3-巰基丙酸包覆CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射700±10nm）參考價：面議
目前可提供四類水溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn)：(1)表面為負(fù)電荷的羧基，3-巰基丙酸作為包覆劑；(2)表面為負(fù)電荷的羧基，含有PEG鏈，生物相容性優(yōu)良，...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

3-巰基丙酸水溶性CdTeCdSeZnS 量子點(diǎn)

2024/8/29 15:11:01406
水溶性3-巰基丙酸包覆CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射660±10nm）參考價：面議
目前可提供四類水溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn)：(1)表面為負(fù)電荷的羧基，3-巰基丙酸作為包覆劑；(2)表面為負(fù)電荷的羧基，含有PEG鏈，生物相容性優(yōu)良，...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

3-巰基丙酸水溶性CdTeCdSeZnS 量子點(diǎn)

2024/8/29 15:06:12406
水溶性3-巰基丙酸包覆CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射620±10nm）參考價：面議
目前可提供四類水溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn)：(1)表面為負(fù)電荷的羧基，3-巰基丙酸作為包覆劑；(2)表面為負(fù)電荷的羧基，含有PEG鏈，生物相容性優(yōu)良，...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

水溶性3-巰基丙酸CdTeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射620

2024/8/29 13:51:17415
水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)（發(fā)射640±10nm）參考價：面議
水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心，CdS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

水溶性CdTeCdS 量子點(diǎn)發(fā)射640量子點(diǎn)

2024/8/28 14:25:40485
水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)（發(fā)射620±10nm）參考價：面議
水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心，CdS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

水溶性CdTeCdS 量子點(diǎn)發(fā)射620量子點(diǎn)

2024/8/28 14:19:59488
水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)（發(fā)射600±10nm）參考價：面議
水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心，CdS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

水溶性CdTeCdS 量子點(diǎn)發(fā)射600量子點(diǎn)

2024/8/28 10:50:47447
水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)（發(fā)射580±10nm）參考價：面議
水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心，CdS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

CdTe/CdS 量子點(diǎn)水溶性發(fā)射580量子點(diǎn)

2024/8/28 10:45:01459
水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)（發(fā)射560±10nm）參考價：面議
水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心，CdS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

CdTe水溶性CdS 量子點(diǎn)發(fā)射560量子點(diǎn)

2024/8/27 15:24:31455
水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)（發(fā)射540±10nm）參考價：面議
水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心，CdS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

水溶性CdTeCdS量子點(diǎn)發(fā)射540

2024/8/27 15:15:28485
水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射660±10nm）參考價：面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

氨基PEG水溶性CdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射660

2024/8/27 14:02:11421
水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射640±10nm）參考價：面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

水溶性氨基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射640

2024/8/26 16:54:20424
水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射620±10nm）參考價：面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

水溶性氨基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射620

2024/8/26 14:35:56447
水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射600±10nm）參考價：面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

氨基PEG水溶性CdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射600

2024/8/23 14:53:03465
水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射580±10nm）參考價：面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

水溶性氨基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射580

2024/8/23 14:40:39436
水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射560±10nm）參考價：面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

氨基PEG水溶性CdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射560

2024/8/23 9:59:07454
水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射540±10nm）參考價：面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

氨基PEG水溶性CdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射540

2024/8/23 9:41:14449
水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射520±10nm）參考價：面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

水溶性氨基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射520

2024/8/22 16:31:28423
水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射480±10nm）參考價：面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

水溶性氨基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射480

2024/8/22 16:15:08470
水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射660±10nm）參考價：面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

水溶性羧基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射660

2024/8/22 16:09:16432
水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射640±10nm）參考價：面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

水溶性羧基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射640

2024/8/22 14:21:30422
水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射620±10nm）參考價：面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

羧基PEG水溶性CdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射620

2024/8/22 14:13:38400
水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射600±10nm 參考價：面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

羧基PEG水溶性CdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射600

2024/8/22 14:03:36432
水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射580±10nm）參考價：面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

水溶性羧基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射580

2024/8/22 13:45:58425
水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射560±10nm）參考價：面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密...
型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對比

水溶性羧基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射560

2024/8/22 13:42:31424

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