鍍金云母交錯(cuò)指狀電極陣列采用電子束蒸發(fā)技術(shù)將金薄膜沉積在玻璃基底上，并通過(guò)光刻和濕法蝕刻進(jìn)行微加工。在金膜和玻璃基底之間涂覆了一層鈦粘附層，以提高機(jī)械穩(wěn)定性。該電極陣列適用于化學(xué)傳感器、生物傳感器、芯片實(shí)驗(yàn)室、微流體、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、二維材料等發(fā)現(xiàn)導(dǎo)向研究。

鍍金云母交錯(cuò)指狀電極陣列（6組）

采用電子束蒸發(fā)技術(shù)將金薄膜沉積在玻璃基底上，并通過(guò)光刻和濕法蝕刻進(jìn)行微加工。在金膜和玻璃基底之間涂覆了一層鈦粘附層，以提高機(jī)械穩(wěn)定性。該電極陣列適用于化學(xué)傳感器、生物傳感器、芯片實(shí)驗(yàn)室、微流體、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、二維材料等發(fā)現(xiàn)導(dǎo)向研究。

特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)：

·         表面粗糙度低：提供出色的樣品間重復(fù)性。

·         高純度金（99.999%）：無(wú)需進(jìn)行危險(xiǎn)/有害的表面清潔步驟。

·         透明玻璃基底：便于輕松觀察和操作樣品。

鍍金云母交錯(cuò)指狀電極陣列產(chǎn)品規(guī)格

·         電極設(shè)計(jì)：交錯(cuò)指狀電極陣列可用于多種樣品檢測(cè)，包括涉及電阻和電容測(cè)量的液體分析。溶液的電阻和電容可在電極特征之間測(cè)量。電極指寬為10微米，指間距為10微米；每個(gè)芯片包含12對(duì)交錯(cuò)指狀電極。

·         基底：硼鋁硅酸鹽

·         金屬層：100納米金（99.999%純度）

·         粘附層：5納米鈦

·         芯片尺寸：1厘米×1厘米×0.07厘米

·         每包芯片數(shù)量：6個(gè)