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目錄:江陰韻翔光電技術(shù)有限公司>>光學(xué)儀器>>光電探測>> 雪崩探測器

雪崩探測器
  • 雪崩探測器
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 其他品牌
  • 型號
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 無錫市
屬性

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更新時間:2023-12-21 19:13:45瀏覽次數(shù):2842評價

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價格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,電子/電池
組件類別 光學(xué)元件
雪崩探測器
Si雪崩平衡探測模塊集成了低噪聲APD探測器、低噪 聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、 APD 溫度補償;隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源 的影響;APD溫度補償提高探測模塊的穩(wěn)定性。

Si雪崩平衡探測器

產(chǎn)品簡介

Si雪崩平衡探測模塊集成了低噪聲APD探測器、低噪 聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、 APD 溫度補償;隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源 的影響;APD溫度補償提高探測模塊的穩(wěn)定性。

產(chǎn)品特點

  • 噪聲低

  • 高增益

  • 內(nèi)置高壓電源

  • APD溫度補償

  • 結(jié)構(gòu)緊湊

  • 內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

  • 光纖傳感

  • 光纖通信

  • 激光測距

  • 光譜測量

產(chǎn)品參數(shù)


產(chǎn)品型號

BAP   D-100M-B

BAP   D-200M-B

BAP   D-300M-B

BAP   D-400M-B

BAP   D-500M-B

BAP   D-1G-B

BAP   D-2G-B

單位

探測器類型

Si


波長

400~1100

nm

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

1G

2G

Hz

探測器響應(yīng)度

25

25

25

25

25

25

25

A/W@850mm

跨阻增益

300K

300K

300K

300K

300K

300K

300K

V/W

輸出阻抗

50

50

50

50

50

50

50


NEP

0.18

0.18

018

0.18

0.18

0.18

0.2

pW/V(Hz)

輸出耦合方

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

5

5

12

12

V

供電電流

0.5(max)

0.5(max]

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光學(xué)輸入

FC/APC(自由空間光可選)


射頻輸出

SMA


外形尺寸

80*90*25

mm




InGaAs雪崩平衡探測器

產(chǎn)品簡介

雪崩光電平衡探測模塊集成了低噪聲APD探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補償;隔離 電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的影響;APD溫度補償提高探測模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點。

產(chǎn)品特點

  • 噪聲低

  • 高增益

  • 內(nèi)置高壓電源

  • APD溫度補償

  • 結(jié)構(gòu)緊湊

  • 內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

  • 光纖傳感

  • 光纖通信

  • 激光測距

  • 光譜測量

測試結(jié)果

產(chǎn)品參數(shù)


產(chǎn)品型號

BAP   D-100M-A

BAP   D-200M-A

BAP   D-300M-A

BAP   D-400M-A

BAP   D-500M-A

BAP   D-600M-A

BAP   D-800M-A

BAP   D-1G-A

BAP   D-1.2G-A

BAP   D-1.5G-A

BAP   D-2G-A

BAP   D-2.5G-A

單位

探測器類型

InGaAs


波長

800~1700

nm

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

600M

800M

1G

1.2G

1.5G

1.5G

2.5G

Hz

探測器響應(yīng)度

9

9

9

9

9

9

9

9

9


9

9

A/W@1550nm

跨阻增益

300K

300K

300K

100K

50K

50K

300K

300K

300K

200K

150K

150K

V/W

飽和光功率

13

13

13

39

78

78

13

13

13

20

20

20


輸出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50


NEP

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

pW/(Hz)

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

AC

AC

AC

AC

AC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

5

5

5

12

12

12

12

12

12

V

供電電流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5{max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光學(xué)輸入

FC/APC(自由空間光可選)


射頻輸出

SMA


外形尺寸

80*90*25

mm




Si雪崩單元探測器

產(chǎn)品簡介

Si雪崩單元探測模塊集成了低噪聲APD探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補償;隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的 影響;APD溫度補償提高探測模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探 測器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點。

產(chǎn)品特點

  • 噪聲低

  • 高增益

  • 內(nèi)置高壓電源

  • APD溫度補償

  • 結(jié)構(gòu)緊湊

  • 內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

  • 光纖傳感

  • 光纖通信

  • 激光測距

  • 光譜測量

  • ns 級光脈沖探測

產(chǎn)品參數(shù)


產(chǎn)品型號

APD-100M-B

APD-200M-B

APD-300M-B

APD-400M-B

APD-500M-B

APD-1G-B

APD-2G-B

單位

探測器類型

Si


波長

400~1100

nm

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

1G

2G

Hz

響應(yīng)度

25

25

25

25

25

25

25

A/W@850nm

跨阻增益

300K

300K

300K

300K

300K

300K

300K

V/W

輸出阻抗

50

50

50

50

50

50

50


飽和功率

13

13

13

13

13

13

30

uW

NEP

O.18

0.18

0.18

0.18

0.18

0.2

0.2

pW/(Hz)

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

5

5

12

12

V

供電電流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光學(xué)輸入

FC/APC(自由空間光可選)


射頻輸出

SMA


外形尺寸

65*50*20

mm




InGaAs雪崩單元探測器

產(chǎn)品簡介

雪崩單元探測模塊集成了低噪聲APD探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補償;隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的影響;APD溫度補償提高探測模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點。

產(chǎn)品特點

  • 噪聲低

  • 高增益

  • 內(nèi)置高壓電源

  • APD溫度補償

  • 結(jié)構(gòu)緊湊

  • 內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

  • 光纖傳感

  • 光纖通信

  • 激光測距

  • 光譜測量

  • ns 級光脈沖探測

測試結(jié)果

產(chǎn)品參數(shù)


產(chǎn)品型號

APD-100M-A

APD-200M-A

APD-300M-A

APD-400M-A

APD-500M-A

APD-600M-A

APD-800M-A

APD-1G-A

APD-1.2G-A

APD-1.5G-A

APD-2G-A

APD-2.5G-A

APD-5G-A

單位

探測器類型

InGaAs


波長

800~1700

nm

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

600M

800M

1G

1.2G

1.5G

2G

2.5G

5G

Hz

響應(yīng)度

9

9

9

9

9

9

9


9

9

9

9

9

V/W

跨阻增益

300K

300K

300K

100K

50K

50K

300K


300K

200K

150K

150K

30K

V/W

輸出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50


飽和功率

13

13

13

39

78

78

13

13

13

20

26

26

78

uW

NEP

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

pW/(Hz)

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

DC

AC

AC

AC

AC

AC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

5

5

5

12

12

12

12

12

12

12

V

供電電流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光學(xué)輸入

FC/APC(自由空間光可選)

FC/APC


射頻輸出

SMA

SMA


外形尺寸

65*50*20

80*90*25

mm


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