晶體材料的生產(chǎn)過程通常涉及高溫環(huán)境，輻射傳熱占據(jù)主導(dǎo)地位，準(zhǔn)確測量表面溫度是實現(xiàn)高質(zhì)量晶體生長的重要基礎(chǔ)。Impac系列測溫儀因其非接觸測量特性和高精度測量結(jié)果，廣泛應(yīng)用于晶體生長爐內(nèi)各類溫度監(jiān)控任務(wù)。
Impac系列測溫儀基于輻射測溫原理，測量物體表面的輻射溫度，通過普朗克定律與實際溫度建立聯(lián)系。本文主要介紹了兩款測溫儀的不同用途：
Impac IGA 6/23短波測溫儀（波長范圍2–2.6 µm），適用于高溫（>1000°C）表面的精準(zhǔn)測量。
Impac 600系列長波測溫儀（波長范圍8–14 µm），用于低溫（<100°C）表面溫度的測量。
兩種測溫儀均經(jīng)過工業(yè)黑體爐校準(zhǔn)，測量精度高，輻射溫度測量標(biāo)準(zhǔn)誤差為±2°C。
為減少背景輻射對測量結(jié)果的影響，尤其是在測量低發(fā)射率材料（金屬表面）時，使用了特殊設(shè)計的不銹鋼半球形反射輻射屏蔽罩，通過反射放大樣品輻射信號，有效降低環(huán)境輻射的干擾。測溫儀通過屏蔽罩上的小孔直接觀察目標(biāo)表面，顯著提高了測量精度。對高發(fā)射率材料（如石墨）則采用高發(fā)射率涂層屏蔽罩，避免輻射信號被過度放大。
實驗室臺式和實際晶體生長爐內(nèi)的現(xiàn)場測量分別進行了驗證，針對高發(fā)射率涂層和低發(fā)射率金屬（金、錫）進行測試。實驗結(jié)果與文獻數(shù)據(jù)的一致性較好，證明了Impac測溫儀及配套輻射屏蔽技術(shù)在復(fù)雜環(huán)境中的適用性和測量可靠性。
現(xiàn)場測量數(shù)據(jù)顯示，即使在晶體生長爐復(fù)雜環(huán)境下，測量誤差也控制在合理范圍（最大20%以內(nèi)），展示了Impac測溫儀的實用價值。
測溫儀的測量精度會受到溫度范圍、發(fā)射率以及測量波長影響。短波測溫儀在高溫區(qū)具有更高的測量精度，而在低發(fā)射率材料測量時相對誤差較大，但通過輻射屏蔽技術(shù)的配合應(yīng)用，相對誤差能夠控制在5%以內(nèi)。
Impac系列測溫儀以其精度高、非接觸特性強的優(yōu)點，成功應(yīng)用于晶體生長爐內(nèi)溫度測量，特別適合復(fù)雜環(huán)境下的溫度監(jiān)控。未來，通過改進屏蔽罩材料（如使用金等高反射率材料）進一步提高測量精度，并將測溫儀技術(shù)推廣至更高溫度范圍（1000°C以上），以滿足晶體生長行業(yè)不斷發(fā)展的技術(shù)需求。
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