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儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)

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更新時(shí)間:2024/12/12 13:41:02瀏覽次數(shù):556

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儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)可進(jìn)行電壓擊穿(介電場(chǎng)強(qiáng))、高低頻介電頻譜、溫譜、高溫絕緣電阻、熱釋電測(cè)試、TSDC熱刺激極化電流、充放電儲(chǔ)能密度測(cè)試、電聲脈沖法空間電荷測(cè)量、靜電電壓等。

詳細(xì)介紹

儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)

隨著能源需求的不斷增加以及對(duì)環(huán)境友好能源的需求,新型能源儲(chǔ)能材料的研究成為了當(dāng)前的熱門領(lǐng)域之一。在開發(fā)新一代的儲(chǔ)能新材料時(shí),對(duì)其性能的測(cè)試與分析是至關(guān)重要的一環(huán),儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)可以通過各功能測(cè)試模塊,系統(tǒng)的幫組科研人員從能量密度、功率密度、循環(huán)壽命、安全性四個(gè)方面對(duì)新材料性能進(jìn)行分析檢測(cè),評(píng)估材料的性能指標(biāo),判斷是否符合應(yīng)用要求。

儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)
測(cè)試模塊

01.電壓擊穿(介電場(chǎng)強(qiáng))

由能量密度可知,擊穿場(chǎng)強(qiáng)相對(duì)于介電常數(shù)對(duì)于材料能量密度的影響更為突出,獲得高能量密度對(duì)復(fù)合材料擊穿場(chǎng)強(qiáng)提出了更高的要求。

通過上位機(jī)系統(tǒng)控制高壓擊穿測(cè)試模塊,可以安全、便捷、準(zhǔn)確的對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行工頻下的交流、高壓直流擊穿試驗(yàn),測(cè)試出擊穿場(chǎng)強(qiáng)。甚至可以通過測(cè)試軟件設(shè)置直流輸出時(shí)間,以完成樣品的極化過程。

02.高低頻介電頻譜、溫譜

用于分析寬頻、高低溫環(huán)境下儲(chǔ)能新材料的阻抗Z、電抗X、導(dǎo)納Y、電導(dǎo)G、電納B、電感L、介電損耗D、品質(zhì)因數(shù)Q等物理量,同時(shí)還可以分析被測(cè)樣品隨溫度、頻率、時(shí)間、偏壓變化的曲線。

03.高溫絕緣電阻

高精度的電壓輸出與電流測(cè)量,即使在高低溫環(huán)境下可能很好的屏蔽背景電流,保障測(cè)試品質(zhì),適用與儲(chǔ)能新材料在不同環(huán)境溫度下絕緣性能的檢測(cè)。

04.熱釋電測(cè)試

不論是薄膜還是塊體形式的儲(chǔ)能材料,都可對(duì)其進(jìn)行熱釋電性能測(cè)試。采用電流法進(jìn)行測(cè)量,材料的熱釋電電流、熱釋電系數(shù)、剩余極化強(qiáng)度對(duì)溫度和時(shí)間的曲線。

05.TSDC熱刺激極化電流

熱刺激電流(TSC)是研究熱釋電材料中陷阱結(jié)構(gòu)和陷阱結(jié)構(gòu)所控制的空間電荷存貯及運(yùn)輸特性的工具,同時(shí)也是研究熱點(diǎn)材料結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變和分子運(yùn)動(dòng)的重要手段。諸如:分子弛豫、相轉(zhuǎn)變、玻璃化溫度等等,通過TSDC技術(shù)也可以直觀的研究材料的弛豫時(shí)間、活化能等相關(guān)介電特性、

06.充放電儲(chǔ)能密度測(cè)試

用于研究介電儲(chǔ)能材料高電壓放電性能,同目前常見的方法是通過電滯回線計(jì)算高壓下電介質(zhì)能量密度,測(cè)試時(shí),樣品的電荷釋放至高壓源上,而非釋放至負(fù)載上,也就是說,通過電滯回線測(cè)得的能量密度會(huì)大與樣品實(shí)際釋放的能量密度,不能正確評(píng)估儲(chǔ)能材料的正常放電性能。華測(cè)充放電測(cè)試具有專門設(shè)計(jì)的電容放電電路來測(cè)量,首先將測(cè)試材料充電到給定電壓,之后通過閉合高速MOS高壓開關(guān),將存儲(chǔ)在儲(chǔ)能材料中的能量釋放到電阻器負(fù)載中,更符合電介質(zhì)充放電原理。

07.電聲脈沖法空間電荷測(cè)量

空間電荷是指在材料特定區(qū)域內(nèi)電荷分布不均勻的現(xiàn)象。該現(xiàn)象是由于載流子的擴(kuò)散和漂移運(yùn)動(dòng)所導(dǎo)致的,在材料的局部區(qū)域產(chǎn)生了電荷累積,從而使材料改變了原本的電中性狀態(tài)??臻g電荷的存在對(duì)材料的電學(xué)性能有著重要的影響,可能導(dǎo)致電場(chǎng)畸變、絕緣性能下降等問題。

電聲脈沖法(PEA)空間電荷測(cè)試可以便捷準(zhǔn)確地測(cè)量固體儲(chǔ)能材料內(nèi)部空間電荷分布,電聲脈沖法可以測(cè)量較厚的介質(zhì),可以在帶電狀態(tài)下直接測(cè)量絕緣測(cè)試樣品中的空間電荷分布,最小可測(cè)空間電荷密度為4μC·cm-3,最小可測(cè)試樣厚度為0.2mm。

08.靜電電壓

靜電是一種處于靜止?fàn)顟B(tài)的電荷,雖然其總電荷量不大,但其瞬間釋放所產(chǎn)生的高電壓與大電流非常容易對(duì)周邊電路、設(shè)備乃至人員造成損害。對(duì)儲(chǔ)能材料的靜電性能(包括面電荷密度與電阻)進(jìn)行測(cè)試,可以對(duì)后期防靜電工程設(shè)計(jì)和改善儲(chǔ)能系統(tǒng)的抗靜電性能設(shè)計(jì)提供數(shù)據(jù)支持,對(duì)周圍電路的靜電敏感電子元器件選型提供參考依據(jù)。

配置模塊

功能

測(cè)試儀表

測(cè)試環(huán)境配件/夾具

電壓擊穿(介電場(chǎng)強(qiáng))

高壓電源

變溫油浴槽

溫度范圍:RT~250℃(視絕緣介質(zhì)性能)

高低頻介電溫譜

阻抗分析儀

高低溫冷熱臺(tái)

溫度范圍:-185~600

高溫近紅外爐

溫度范圍:RT~1450

高低溫環(huán)境箱

溫度范圍:-185~450

高溫絕緣電阻測(cè)試

高阻計(jì)/源表

高低溫冷熱臺(tái)

溫度范圍:-185~600

高溫近紅外爐

溫度范圍:RT~1450

高低溫環(huán)境箱

溫度范圍:-185~450

熱釋電測(cè)試

高阻計(jì)/靜電計(jì)

高低溫冷熱臺(tái)

溫度范圍:-185~600

高低溫環(huán)境箱

溫度范圍:-185~450


TSDC熱刺激電流測(cè)試

高阻計(jì)/靜電計(jì)

高低溫冷熱臺(tái)

溫度范圍:-185~600

高低溫環(huán)境箱

溫度范圍:-185~450


充放電儲(chǔ)能密度測(cè)試

充放電測(cè)試模塊

變溫測(cè)試盒

溫度范圍:RT~250℃(視絕緣介質(zhì)性能)

靜電電壓

高阻計(jì)/靜電計(jì)

靜電變溫測(cè)試罐

溫度范圍:

空間電荷測(cè)試

示波器+高壓電源+功率放大器

電聲脈沖法空間電荷測(cè)試夾具



該綜合測(cè)試系統(tǒng)可進(jìn)行電壓擊穿(介電場(chǎng)強(qiáng))、高低頻介電頻譜、溫譜、高溫絕緣電阻、熱釋電測(cè)試、TSDC熱刺激極化電流、充放電儲(chǔ)能密度測(cè)試、電聲脈沖法空間電荷測(cè)量、靜電電壓等。

儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)


北京華測(cè)試驗(yàn)儀器有限公司為高新技術(shù)企業(yè),專注于絕緣材料與先進(jìn)功能新材料電性能檢測(cè)以及材料電學(xué)測(cè)控設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù),目前公司產(chǎn)品已應(yīng)用于全國(guó)二十多個(gè)省、市、自治區(qū)。

公司有功能材料、電氣絕緣材料兩個(gè)電學(xué)試驗(yàn)室;涉及材料測(cè)試儀器、器件的放大、調(diào)理、采集、控制;傳感器性能綜合評(píng)價(jià)等相關(guān)儀器。







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