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當(dāng)前位置：> 供求商機> 2611A-美國吉時利keithley數(shù)字源表
貨物所在地：上海上海市
更新時間：2025/4/1 21:00:08
訪問次數(shù)：688
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2601A吉時利keithley數(shù)字源表吉時利的I-V源-測量儀器，既可以用作桌面級I-V特性分析工具，也可以成為多通道I-V測試系統(tǒng)的組成部分。對于桌面級的應(yīng)用，美國吉時利keithley 2601A數(shù)字源表提供一款嵌入式TSP Express測試軟件，允許用戶快速、方便地進行常用的I-V測試，無需編程或安裝軟件。對于系統(tǒng)級應(yīng)用，美國吉時利keithley 2601A數(shù)字源表的TSP架構(gòu)和新增功能，例如，并行測試能力和精密時鐘同步，提供了業(yè)界zui高吞吐量，從而降低了測試成本。
客戶能用美國吉時利keithley 2601A數(shù)字源表簡易替換2600系列一個緊湊的單元中綜合了如下功能：精密電壓源、高精度電流源、數(shù)字多用表、任意波形發(fā)生器、電壓或電流脈沖發(fā)生器、電子負載以及觸發(fā)控制器 代碼后向兼容美國吉時利keithley 2601A數(shù)字源表，便于更換 TSP Express軟件工具實現(xiàn)快速、便捷的I-V測試 精密定時和信道同步（<500ns）。
2601A吉時利keithley數(shù)字源表特點
執(zhí)行并行測試，獲得無以倫比的吞吐量
20,000讀數(shù)/秒提供更快的測試時間和能力，捕捉器件瞬態(tài)性能
系列產(chǎn)品提供寬動態(tài)范圍：1fA～10A和1µV～200V
TSP-Link總線支持每GPIB或IP地址多達32單元/64通道的通道擴展
測試腳本處理器（TSP）以*的系統(tǒng)自動化在儀器中執(zhí)行完整的測試程序（腳本）
USB端口用于保存數(shù)據(jù)和測試腳本
LXI Class C兼容性提供高速數(shù)據(jù)傳輸并且實現(xiàn)快捷地遠程測試、監(jiān)控和排錯
2601A吉時利keithley數(shù)字源表主要指標(biāo)
型號 2601A 2611A
2602A 2612A
描述 可擴展，高通量 高壓和脈沖輸出
電流source/sink 是 是
電壓source/sink 是 是
輸出功率 40.4W/CH 30.4W/CH
輸出電壓（min./max.） ±1µV/±40.4V/CH ±1µV/±202V/CH
輸出電流（min./max.） ±1pA/ ±1pA/
±3.03A DC和脈沖 ±1.5A DC和脈沖
或10A脈沖/CH 或10A脈沖/CH
基本精度I 0.02% 0.02%
基本精度V 0.015% 0.015%
典型應(yīng)用 I-V功能測試和特性分析，
晶圓級可靠性測試，
測試集成電路如RFIC、ASIC、SOC，
測試光電器件如LED、VCSEL和顯示器，
測試納米材料和器件。
2601A吉時利keithley數(shù)字源表附件提供
2600-IAC：安全互鎖適配器接頭（2611A/2612A配一個），
2600-KIT：配套螺旋接頭（2601A/2602A/2611A/2612A），
CA-180-3A：TSP-Link/以太網(wǎng)線（每臺2條），
TSP Express軟件工具（嵌入式），
Test Script Builder軟件（CD內(nèi)提供）。
中國電子行業(yè)儀器優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商——堅融實業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷售Sale、服務(wù)Service，3S公司，提供解決方案、測試測量技術(shù)改進、技術(shù)培訓(xùn)、采購管理、售后維修服務(wù)。
吉時利KEITHLEY2600B系列源表研究領(lǐng)域：
各種器件的I-V功能測試和特征分析，包括：
離散和無源元件
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅(qū)動器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
–三抽頭器件——小信號雙極結(jié)型晶體管（BJT）、場效應(yīng)晶體管（FET）等等
簡單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動器、開關(guān)、傳感器
集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI）
–模擬IC
–射頻集成電路（RFIC）
–集成電路（ASIC）
–片上系統(tǒng)（SoC）器件
光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、顯示器
圓片級可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移
太陽能電池
電池
暫態(tài)抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測器
電路保護器件:
TVS、MOV、熔絲
安全氣囊
連接器、開關(guān)、繼電器
碳納米管
半導(dǎo)體納米線
碳納米管 FET
納米傳感器和陣列
單電子晶體管
分子電子
有機電子
基本運放電路
二極管和電路
晶體管電路
測試：
漏流
低壓、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔離與軌跡電阻
溫度系數(shù)
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數(shù)測試
直流電源
HIPOT
介質(zhì)耐受性
雙極結(jié)型晶體管設(shè)計
結(jié)型場效應(yīng)晶體管設(shè)計
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管設(shè)計
太陽能電池和 LED 設(shè)計
高電子遷移率晶體管設(shè)計
復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計
分析納米材料和實驗器件
碳納米管的電測量標(biāo)準(zhǔn)
測量碳納米管電氣特性
提高納米電子和分子電子器件的低電流測量
在低功率和低壓應(yīng)用中實現(xiàn)準(zhǔn)確、可靠的電阻測量
納米級器件和材料的電氣測量
提高超高電阻和電阻率測量的可重復(fù)性
一種微分電導(dǎo)的改進測量方法
納米技術(shù)準(zhǔn)確電氣測量的技術(shù)
納米級材料的電氣測量
降低外部誤差源影響的儀器技術(shù)
迎接65nm節(jié)點的測量挑戰(zhàn)
測量半導(dǎo)體材料的高電阻率和霍爾電壓
用微微微安量程測量電流
柵極電介質(zhì)電容電壓特性分析
評估氧化層的可靠性
的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和試驗低電阻、低功耗半導(dǎo)體器
輸出極低電流和測量極低電壓分析現(xiàn)代材料、半導(dǎo)體和納米電子元件的電阻
低阻測量(低至10nΩ)分析導(dǎo)通電阻參數(shù)、互連和低功率半導(dǎo)體。
用于*進CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測試
高K柵極電介質(zhì)電荷俘獲行為的脈沖特性分析
用6線歐姆測量技術(shù)進行更高準(zhǔn)確度的電阻測量
配置分立電阻器驗證測試系統(tǒng)
電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產(chǎn)測試
多臺數(shù)字源表的觸發(fā)器同步
高亮度、可見光LED的生產(chǎn)測試
OLED顯示器的直流生產(chǎn)測試
在運行中第5次測量用于偏置溫度不穩(wěn)定特性分析
數(shù)字源表的緩沖器以及如何用這兩個緩沖器獲取多達5000點數(shù)據(jù)
連接器的生產(chǎn)測試方案
射頻功率晶體管的直流電氣特性分析
1. MOS 電容器
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – zui大耗盡層寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應(yīng)和溫度效應(yīng)。
I-V 曲線分析：
電荷建立 (測量電壓 - 時間圖，用低電流源)； 氧化層電容測定； 與 C-V 曲線比較。
C-V 曲線 (準(zhǔn)靜態(tài)) 結(jié)合 C-V 曲線：
表面電位 Ψs 與施加電壓的關(guān)系 – Si (100) 的表面態(tài)密度 Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相比：方向和后處理退火的影響。
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
移動氧化層電荷密度 (偏壓溫度應(yīng)力：200°C，10 分鐘，±10V)
2. 雙極結(jié)型晶體管
主題
正向共發(fā)射極輸出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量。
正向 CE 輸入特性：Ib = f (Vbe) 對于幾個 Vce 正值。
正向 Gummel 曲線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
Βf 與 log(Ic) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
非理想特性：爾利電壓。
反向 CE 輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反向 CE 傳輸特性：Ib=f(Vbe) 對于幾個Vce負值。
反向 Gummel 曲線： logIe, logIb=f(Vbc>0).
確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
Βr 與 log(Ie) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對于給定的 Ib 電流。
Ebers Moll 模型構(gòu)建并且與實驗做比較。
BE 和 CE 結(jié)的 C-V 特性分析?；鶇^(qū)摻雜濃縮。
3. 亞微米集成 MOSFET
輸出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增強或耗盡)，溝道長度調(diào)制參數(shù)(λ) 在飽和區(qū)域 (VDS<–3V) 有效溝道長度與 VDS 的關(guān)系。
傳輸特性：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底偏壓特性：
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾值特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯底電流特性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用長溝道和短溝道公式的輸出特性模型：比較實驗結(jié)果。
美國吉時利KEITHLEY2600數(shù)字源表進行VCSEL測試
美國吉時利KEITHLEY2600測量光伏電池的I-V特性
美國吉時利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表的SCPI應(yīng)用轉(zhuǎn)換為2600系列源表的腳本應(yīng)用
美國吉時利KEITHLEY2600系列數(shù)字源表進行IDDQ測試和待機電流測試
使用兩臺美國吉時利KEITHLEY2600型數(shù)字源表輸出2A電流
美國吉時利KEITHLEY2600或其它非脈沖模式源表產(chǎn)生電流 (或電壓) 脈沖
美國吉時利KEITHLEY2600系列數(shù)字源表提升多引腳器件的生產(chǎn)量
美國吉時利KEITHLEY2602數(shù)字源表創(chuàng)建可擴縮、多引腳、多功能IC測試系統(tǒng)
美國吉時利KEITHLEY2602數(shù)字源表對激光二極管模塊和VCSEL進行高吞吐率直流生產(chǎn)測試
美國吉時利KEITHLEY2600系列數(shù)字源表進行二極管生產(chǎn)測試
美國吉時利KEITHLEY2600系列數(shù)字源表進行高亮度、可見光LED的生產(chǎn)測試
美國吉時利KEITHLEY2600系列數(shù)字源表進行IDDQ測試和待機電流測試
美國吉時利KEITHLEY2600 數(shù)字源表驗證變阻器
美國吉時利KEITHLEY2600系列源表進行電池放電/充電周期
美國吉時利KEITHLEY2600配置電阻網(wǎng)絡(luò)的生產(chǎn)測試系統(tǒng)
美國吉時利KEITHLEY2651 2kW 脈沖源表進行大電流變阻器的生產(chǎn)測試
美國吉時利KEITHLEY2600數(shù)字源表進行熱敏電阻的生產(chǎn)測試
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