單絲和單縫衍射實(shí)驗(yàn)儀 型號；DP-FD-OE-5
單絲、單縫和小孔衍射實(shí)驗(yàn)是校理科基本光學(xué)實(shí)驗(yàn)之。本儀器用半導(dǎo)體激光器為光源，觀察單絲、單縫和圓孔的夫瑯和費(fèi)衍射現(xiàn)象，以及絲徑、縫寬、孔徑的變化對衍射的影響，加深對光的衍射理論的理解，并利用衍射花樣測定單絲的直徑和單縫寬度。單絲和單縫衍射實(shí)驗(yàn)儀 型號；DP-FD-OE-5本儀器有以下優(yōu)點(diǎn)：
　　1．光具座用強(qiáng)度優(yōu)質(zhì)鋁合金材料制成，表面經(jīng)陽氧化處理，儀器重量輕，體積小，經(jīng)久耐用，不生銹，使用壽命長。
　　2．配有各種直徑的單絲(包括支架)、小孔和不同縫寬的單縫，觀察各種衍射現(xiàn)象，物理現(xiàn)象明顯。采用非接觸測量方法，測量金屬絲直徑和細(xì)縫縫寬的準(zhǔn)確度較。
　　3．光具座的滑塊可離開導(dǎo)軌自由在桌面上移動(dòng)，以增加白色象屏與單絲(或單縫)距離，用米尺可準(zhǔn)確測出它們之間距離(滑塊與導(dǎo)軌經(jīng)專門)。
　　應(yīng)用本儀器可以成以下實(shí)驗(yàn)：
　　1．用于基礎(chǔ)物理實(shí)驗(yàn)作光衍射實(shí)驗(yàn)用。
　　2．作性與綜合性學(xué)生物理實(shí)驗(yàn)。
　　3．可用于課堂光衍射實(shí)驗(yàn)及自學(xué)物理實(shí)驗(yàn)。
　　 型號；DP-FD-OE-5儀器主要參數(shù)：
　　1．光具座 底座長度50.0cm，其分度值1mm，底座質(zhì)量2.5Kg。（長度可定做）
　　2．滑塊三只，滑塊側(cè)面有專門刻線，便于測量屏到縫的直線距離。
　　3．單絲、小孔和狹縫支架個(gè)。
　　4．半導(dǎo)體激光器及電源，激光波長650nm，激光器作直流電壓3V。

太陽能電池特性測定儀 型號；DP-FD-OE-4
　能源的重要性人人皆知，為了經(jīng)濟(jì)持續(xù)發(fā)展及環(huán)境保護(hù)，人們正大量開發(fā)其它能源如水能、風(fēng)能及太陽能的利用。其中以硅太陽能電池作為綠色能源其開發(fā)和利用大有發(fā)展前景。本儀器提供的實(shí)驗(yàn)，意在提學(xué)生對太陽能電池的特性的認(rèn)識，學(xué)習(xí)研究太陽能電池的基本光電特性，學(xué)會(huì)電學(xué)與光學(xué)的些重要實(shí)驗(yàn)方法及數(shù)據(jù)處理方法。儀器具有以下優(yōu)點(diǎn)： 1.采用強(qiáng)度優(yōu)質(zhì)鋁合金材料制成，表面經(jīng)陽氧化處理,儀器重量輕、體積小、耐用、不會(huì)生銹，使用壽命長。采用數(shù)字式光率計(jì)測量光強(qiáng)，測量結(jié)果穩(wěn)定可靠。2.有黑色遮光罩擋光，可在明光及通風(fēng)條件下做光學(xué)實(shí)驗(yàn)，在同實(shí)驗(yàn)室各組實(shí)驗(yàn)互不干擾。
　　應(yīng)用本儀器可以成以下實(shí)驗(yàn)：
　　1．在沒有光照時(shí)，太陽能電池作為個(gè)二器件，測量在正向偏壓時(shí)該二器件的伏安特性曲線，并求出其正向偏壓時(shí)，電壓與電流關(guān)系的經(jīng)驗(yàn)公式。
　　2．測量太陽能電池的短路電流、開路電壓、zui大輸出率及填充因子。
　　3．測量太陽能電池的短路電流、開路電壓與相對光強(qiáng)的關(guān)系，求出它們的近似函數(shù)關(guān)系。
　　本儀器可用于校、中專、職校基礎(chǔ)物理實(shí)驗(yàn)及性、研究性的物理實(shí)驗(yàn)，也可用于物理奧林匹克競賽培訓(xùn)用。
　　儀器主要參數(shù)：
　　1．光具座 鋁合金制，標(biāo)尺長80.0cm，分度值1mm，燕尾形凸形導(dǎo)軌結(jié)構(gòu)。
　　2．滑塊二塊 燕尾形凹滑塊結(jié)構(gòu)，鋁合金制。
　　3．光源 率40W射燈形結(jié)構(gòu)。
　　4．帶探測器數(shù)字式光率計(jì) 量程有200uW和2mW二檔，三位半液晶顯示

固體介質(zhì)折射率測定儀 型號；DP-FD-OE-3
折射率是反映介質(zhì)光學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)之。本儀器采用的實(shí)驗(yàn)方法，在光學(xué)測量中具有典型性和基本要求的特點(diǎn)。用測布儒斯特角的方法測量透明介質(zhì)的折射率及利用測量激光照射半導(dǎo)體薄片的反射系數(shù)方法，測量分半導(dǎo)體如硅、砷化鎵等介質(zhì)的折射率。本儀器具有體積小，重量輕，調(diào)節(jié)方便，裝置牢靠，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)穩(wěn)定可靠等優(yōu)點(diǎn)。本儀器可用于基礎(chǔ)物理實(shí)驗(yàn)，性與研究性物理實(shí)驗(yàn)及物理奧林匹克競賽培訓(xùn)實(shí)驗(yàn)用。本儀器具有以下優(yōu)點(diǎn)：
　　1.采用強(qiáng)度優(yōu)質(zhì)鋁合金材料制成，表面經(jīng)陽氧化處理 ,儀器重量輕、體積小、耐用、不會(huì)生銹，使用壽命長。
　　2.帶有刻度的轉(zhuǎn)盤經(jīng)心和，轉(zhuǎn)動(dòng)輕巧靈活，讀數(shù)準(zhǔn)確。
　　3.采用數(shù)字式光率計(jì)測量偏振光光強(qiáng)，測量結(jié)果穩(wěn)定可靠。
　　4.有黑色遮光罩擋光，可在明光及通風(fēng)條件下做光學(xué)實(shí)驗(yàn)，在同實(shí)驗(yàn)室各組實(shí)驗(yàn)互不干擾。
　　應(yīng)用本儀器可以成以下實(shí)驗(yàn)：
　　1. 光的偏振現(xiàn)象的觀察和分析，加深對光偏振規(guī)律的認(rèn)識。掌握獲得線偏振光的知識及確定偏振片偏振方向的方法。
　　2. 用布儒斯特定律，測量對可見光透明固體材料的折射率。
　　3．通過測量偏振光二個(gè)分量入射到介質(zhì)上反射光的反射系數(shù)，測量半導(dǎo)體硅等材料的折射率。
　　儀器主要參數(shù)：
　　1. 半導(dǎo)體激光器 波長650nm，率 1.5-2.0mW，作電壓3V。
　　2. 轉(zhuǎn)盤 直徑為2.0cm，可調(diào)范圍0-360°，分度值1°。
　　3．水平光學(xué)轉(zhuǎn)臺 可 0-360゜轉(zhuǎn)動(dòng)，分度值 1°。
　　4．?dāng)?shù)字式光率計(jì) 量程有200uW和2mW二檔，三位半液晶顯示

型模擬斷路器 模擬斷路器 型號：DP-GC-MY
模擬斷路器主要用于電力系統(tǒng)斷電保護(hù)裝置或成套繼電保護(hù)屏的整組試驗(yàn)，可真實(shí)地模擬斷路器的跳合閘時(shí)間。在整組試驗(yàn)時(shí)模擬壓斷路器的跳閘及合閘，以避免由于重復(fù)的整組試驗(yàn)成斷路器反復(fù)分合帶來的不良影響。
參數(shù)
◎ 供電電源AC200V±10%；
◎ 跳合閘操作為電源電壓：DC220V、DC110V；
◎ 跳合閘阻抗選擇400Ω、200Ω、110Ω；
◎ 合閘時(shí)間選擇：20-200ms；
◎ 跳閘時(shí)間選擇：20-100ms；
◎ 模擬斷路器常閉/常開接點(diǎn)容量為AC220V/5A。
主要特點(diǎn)
該斷路器采用數(shù)字電路，時(shí)間為數(shù)字撥碼設(shè)置，可實(shí)現(xiàn)模擬斷路器跳合閘時(shí)間設(shè)置、三相/分相操作選擇、輸入信號邏輯控制等能，從而模擬斷路器的跳、合閘動(dòng)作。

譜儀/譜儀 型號:DP-821C
　DP-821C型新譜儀是臺電化學(xué)分析儀器，可分別記錄電流--電位曲線、半微分曲線、1.5次微分曲線、2.5次微分曲線及電流--時(shí)間曲線；可行單掃、循環(huán)伏安、溶出法、記時(shí)電流法測定，也可作為壓液相色譜和毛細(xì)管電泳電流檢測器。
標(biāo)：
* 掃描幅度：-2.5V～+2.5V
* 起始電位：-2.5V～+2.5V
* 電流量程：10 pA～20 mA
* 富集時(shí)間：0.1～9.9 min
* 檢測下限：陰：5×10-8 mol/L
　　　　　　溶出法：10-11mol/L
* 外形尺寸：440×320×130(mm)
* 重　　量：6 kg
* 　　耗：50 W
特點(diǎn)：
* 方法豐富 組合選
* 寬幅量程 檢測限低
* LED顯示 直觀方便
* 選 性能可靠
　　廣泛應(yīng)用于化、地質(zhì)、環(huán)保、衛(wèi)生、科研、大專院校等。

注:產(chǎn)品詳細(xì)介紹資料和上面顯示產(chǎn)品圖片是相對應(yīng)的