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鈣鈦礦的氧滲透性、電子導電性和穩(wěn)定性

閱讀:864      發(fā)布時間:2019-07-31
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【引言】

與傳統(tǒng)工業(yè)工藝相比,使用混合導電陶瓷膜從空氣中分離氧氣和部分氧化輕烴可提供可觀的經(jīng)濟和環(huán)境優(yōu)勢。然而,由于材料科學相關的問題,薄膜技術的發(fā)展仍然受到限制。膜材料應滿足多種要求,包括體離子和電子輸運決定的高雙極性電導率、大p(O2)范圍內(nèi)快速氧表面交換動力學、操作條件下的熱力學和尺寸穩(wěn)定性以及適當?shù)臒崃W性能。

 

【成果介紹】

V.V. Kharton等人在10−14到0.5的氧氣分壓范圍內(nèi)研究了鈣鈦礦型(La0.3Sr0.7)1−yCoO3−δ (y=0–0.03)和La0.3Sr0.7Co0.8M0.2O3−δ (M=Al, Ga)的電學性能和用于氧分離的高密度混合導電膜的母體材料。鈷酸鹽型陶瓷在973-1223 K的穩(wěn)態(tài)氧滲透通量受離子電導率和表面交換動力學的限制。用Al3+或Ga3+取代鈷增加了立方鈣鈦礦單位體積、缺氧量和塞貝克系數(shù),降低了熱膨脹、p型電子電導率和氧滲透率。使用Linseis的熱膨脹儀L70進行了熱膨脹分析,加熱速率5 K/min。陽離子空位的產(chǎn)生,由Co4+形成補償,使得在700 K以上溫度下p型電子電導率和熱膨脹更高,同時缺乏鈷酸鹽的A位點的離子傳輸?shù)陀贚a0.3Sr0.7CoO3−δ。將氧分壓降低到約10-5 atm,在分解之前,會轉變?yōu)?/span>鈣鐵石相,這些相本質(zhì)上具有獨立于p(O2)的電性能,p(O2)值為CoO/Co邊界值的102至104倍。在300–750 K和750–1240 K溫度下鈷酸鹽陶瓷在空氣中的平均熱膨脹系數(shù)分別為(15.9–19.6)×10−6 K−1和(27.9–29.7)×10−6 K−1。

 

【圖文導讀】

 

圖1 La0.3Sr0.7CoO3陶瓷的XRD圖譜

 

 

圖2 斷裂(A)(La0.3Sr0.7)0.97CoO3−δ陶瓷和(B)La0.3Sr0.7Co0.8Al0.2O3−δ陶瓷的SEM顯微圖片

 

 

圖3 La0.3Sr0.7CoO3陶瓷在空氣中的膨脹曲線

 

 

圖4 La0.3Sr0.7CoO3陶瓷在空氣中的總電導率隨溫度的變化規(guī)律

 

 

圖5 La0.3Sr0.7Co0.8Al0.2O3−δ在空氣中的TG/DTA曲線

 

 

圖6 La0.3Sr0.7CoO3(A和C)(La0.3Sr0.7)0.97CoO3−δ(B和D)膜的氧滲透通量(A和B)和比氧滲透率(C和D)隨氧分壓梯度的變化規(guī)律

 

 

圖7 La0.3Sr0.7Co0.8Al0.2O3−δ(A和C)La0.3Sr0.7Co0.8Ga0.2O3−δ(B和D)膜的氧滲透通量(A和B)和比氧滲透率(C和D)隨氧分壓梯度的變化規(guī)律

 

 

圖8 在固定氧分壓梯度下La0.3Sr0.7CoO3陶瓷的氧滲透通量隨溫度的變化規(guī)律

 

 

圖9 氧化條件下(La0.3Sr0.7)0.97CoO3−δ(A和C)La0.3Sr0.7Co0.8Al0.2O3−δ(B和D)的總電導率(A和B)和塞貝克系數(shù)(C和D)與氧分壓的關系。實線只用于視覺引導。

 

 

圖10 采用熱重量分析測定的La0.3Sr0.7Co0.8Al0.2O3−δ鈣鈦礦在空氣中氧氣非化學計量性的溫度依賴性以及電子空穴濃度、態(tài)密度和空穴遷移率的計算值

 

 

圖11 La0.3Sr0.7Co0.8Al0.2O3−δ的(A)估計氧非化學計量性和(B)μp×N*值。使用La0.3Sr0.7CoO3−δ在缺氧條件下的數(shù)據(jù)來比較

 

 

圖12 1173K溫度下La0.3Sr0.7Co0.8Al0.2O3−δ的總電導率和塞貝克系數(shù)與氧氣壓力的關系,說明相組成與電性能之間的關系。虛線表示鈣鐵石相的近似穩(wěn)定極限

 

 

圖13 存在單個鈣鈦礦相的p(O2)范圍內(nèi)(La0.3Sr0.7)0.97CoO3−δ的總電導率和塞貝克系數(shù)與氧氣壓力的關系

 

 

圖14 基于電性質(zhì)與p(O2)的數(shù)據(jù),分析了La0.3Sr0.7CoO3材料的近似相位穩(wěn)定極限。LaCoO3−δ和CoO的文獻數(shù)據(jù)被用來進行比較

 

【結論】

使用甘氨酸-硝酸鹽合成了密度在96%-98%的鈣鈦礦型(La0.3Sr0.7)0.97CoO3−δ陶瓷、La0.3Sr0.7Co0.8Al0.2O3−δ陶瓷和La0.3Sr0.7Co0.8Ga0.2O3−δ陶瓷。用Al3+或Ga3+取代鈷增加了立方單位體積和熱電勢,降低了熱膨脹、總電導率和氧滲透率。A位點空位的產(chǎn)生,由Co4+形成補償,使得在700 K以上溫度下p型電子電導率和熱膨脹系數(shù)更高,而離子傳輸降低。至于母體材料La0.3Sr0.7CoO3−δ,氧氣通過La0.3Sr0.7CoO3膜的滲透通量取決于離子電導率和表面交換動力學。降低氧分壓可使鈣鈦礦轉變?yōu)?/span>鈣鐵石相,低p(O2)穩(wěn)定極限位于LaCoO3−δ和CoO之間。與本質(zhì)上具有不依賴于p(O2)電性能的鈷鐵礦相反,鈣鈦礦的減少與空穴電導率和態(tài)密度的降低有關??諝庵锈捤猁}陶瓷的平均熱膨脹系數(shù)在300-750 K范圍內(nèi)為(15.9-19.6)×10-6 K-1,在較高溫度下為(27.9-29.7)×10-6 K-1。

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林賽斯(上海)科學儀器有限公司

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